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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211362106.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器及其制备方法是由王琳;宋雪芬;葛飞翔;刘子聪;顾恒硕设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器，属于微电子制造及存储技术领域。所述自整流忆阻器是一种包括上电极、钙钛矿层、下电极的三层器件，在负电压扫描范围呈现出高、低两个阻态，而在正电压扫描范围始终保持在高阻态。所述忆阻器是依靠钙钛矿金属界面瞬时形成的金属卤化物，钙钛矿可以与该卤化物形成p‑n结，反向p‑n结形成阻挡层，助推实现类二极管效应的自整流忆阻器。本发明首次基于钙钛矿材料体系实现了自整流忆阻器，丰富了钙钛矿忆阻器的功能特征，拓展了自整流忆阻器的材料选择范围，是一种低成本设计，可以满足高集成十字交叉阵列中存储单元的信息准确读取需求。

本发明授权一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器，其特征在于：自下至上依次为条形金属Ag电极、钙钛矿NH=CINH33PbI5层、条形电极，上下电极十字交叉排布将钙钛矿层夹在中间，每个交叉点为一个存储单元器件，所有存储单元被集成在同一个衬底上，存储单元不但具有电阻转变性能，而且能够抑制串扰电流，保证准确的信息存取； 所述钙钛矿NH=CINH33PbI5具有一维晶格结构和宽的带隙~3eV； 所述NH=CINH33PbI5内部卤素离子极容易与电极Ag发生化学反应，并在NH=CINH33PbI5Ag的界面处瞬时自发形成金属卤化物AgI层； 所述NH=CINH33PbI5与AgI之间形成p-n结；所述p-n结的势垒在正负电压下不同，忆阻器实现整流功能； 钙钛矿薄膜利用溶液法制备，具体步骤包括： 步骤一：制备前驱体晶体：将PbI2粉末加入氢碘酸溶液中，通入氩气，等待碘化铅充分反应后，加入氰胺，混合均匀后冷获得NH=CINH33PbI5晶体； 步骤二：制备前驱体溶液：利用DMF溶解NH=CINH33PbI5晶体，待充分溶解后滴入DMSO溶剂，获得NH=CINH33PbI5与DMSO摩尔比为1:2，1:3和1:4的不同浓度前驱体溶液，其中DMF和DMSO为钙钛矿前驱体的双溶剂， 步骤三：旋涂法制备薄膜：将准备好的前驱体旋涂到商用ITO或FTO的条形电极上，在旋涂结束前5-10s内滴加反溶剂甲苯； 步骤四：调控薄膜质量：将旋涂均匀的薄膜放置到80-120℃的热板上，退火5-10min。

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