天津理工大学蔡岗日获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利一种基于离子掺杂的高分子电解质的神经突触仿生器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666216B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211306985.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于离子掺杂的高分子电解质的神经突触仿生器件是由蔡岗日;赵金石;史竟舟;康少辉;冯将设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于离子掺杂的高分子电解质的神经突触仿生器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于离子掺杂的高分子电解质的神经突触仿生器件。所述仿生器件使用带负电荷的高分子电解质作为功能层，并通过掺杂正电荷的金属离子实现阻变性能。该仿生器件包括：下电极层、制备在下电极层上的基于离子掺杂且主链具有负电荷基团的负电荷高分子电解质薄膜层所构成的介质层、上方的上电极层；下电极层包括衬底和位于衬底上方的第一电极层；上电极层即为第二电极层。基于离子掺杂的负电荷高分子电解质薄膜通过旋涂的方法制备而成。本发明的神经突触仿生器件具有所用材料成本低廉且可大面积成膜、制备工艺快速简单、尺寸可缩减性好、阻变机理简单、可制备为全透明器件或柔性器件、能够低功耗模拟神经突触功能等优点。
本发明授权一种基于离子掺杂的高分子电解质的神经突触仿生器件在权利要求书中公布了：1.一种基于离子掺杂的高分子电解质的神经突触仿生器件，包括:下电极层、沉积在所述下电极层上的负电荷高分子电解质薄膜层和在所述负电荷高分子电解质薄膜层上方的上电极层；所述下电极层包括衬底和位于所述衬底上方的第一电极层；所述上电极层即为第二电极层；其特征在于，所述负电荷高分子电解质薄膜层为进行了离子掺杂的负电荷高分子电解质薄膜层，掺杂离子的浓度与负电荷高分子电解质的摩尔浓度相同，掺杂离子类型为碱金属离子，包括但不局限于氯化钙或氯化钠中的一种。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津理工大学，其通讯地址为：300384 天津市西青区宾水西道391号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励