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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种半导体结构的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110736731.2，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种半导体结构的形成方法及半导体结构是由王乔慈;赵军设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，该方法包含：提供一基底，所述基底上设有介质层，所述介质层内具有若干孔洞，孔洞内填充有底部抗反射层；提供第一刻蚀气体，刻蚀孔洞内底部抗反射层，刻蚀时间记做t1；提供第一刻蚀气体之后，提供第二刻蚀气体和或第三刻蚀气体，对孔洞底部进行清理刻蚀；第二刻蚀气体对孔洞清理的刻蚀时间记做t2；第三刻蚀气体对孔洞清理的刻蚀时间记做t3；其中，t1、t2、t3根据具体的孔洞刻蚀情况调节，t1＞0，t2≥0，t3≥0，且t2与t3不同时为0。本发明在传统BARC刻蚀工艺的基础上进行改进，通过结合高流导并使用不同步骤来达到BARC洞底刻蚀干净，并兼顾维持上方PRCD以及尽量减少介质层损失的目的。

本发明授权一种半导体结构的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其在一真空反应腔内进行，其特征在于，该方法包含： 提供一基底，所述基底上设有介质层，所述介质层内具有若干孔洞，孔洞内填充有底部抗反射层，该孔洞的侧壁顶部设置有光阻层； 提供第一刻蚀气体，刻蚀孔洞内底部抗反射层，以维持低的介质层损失，并抑制光阻层的关键尺寸的扩大，刻蚀时间记做t1；所述的第一刻蚀气体包含：N2O2的混合气体； 停止提供第一刻蚀气体，提供第二刻蚀气体和或第三刻蚀气体，对孔洞底部进行清理刻蚀，所述的第二刻蚀气体包含：O2，所述的第三刻蚀气体包含：CO2O2的混合气体； 所述第二刻蚀气体对孔洞清理的刻蚀时间记做t2； 所述第三刻蚀气体对孔洞清理的刻蚀时间记做t3；其中，t1、t2、t3根据具体的孔洞刻蚀情况调节，t1＞0，t2≥0，t3≥0，且t2与t3不同时为0；所述的孔洞是指直径小于10nm的小尺寸孔洞。

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