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龙图腾网获悉瑞能半导体科技股份有限公司申请的专利沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211063707.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法是由林苡任;崔京京;章剑锋设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。沟槽型碳化硅晶体管包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构，栅极沟槽结构包括覆盖于栅极沟槽结构的表面的栅极氧化层，以及位于栅极沟槽结构的底部的栅极氧化层之上的栅极和PN结结构；设置在栅极沟槽结构的一侧，且与栅极沟槽结构接触的第一掺杂类型的第一掺杂区；设置在栅极沟槽结构的另一侧，且与栅极沟槽结构间隔的第二掺杂类型的第二掺杂区。根据本申请实施例，能够实现碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自身的温度检测。

本发明授权沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型碳化硅晶体管，其特征在于，包括： 第一掺杂类型的碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括第一表面，所述第一表面上设置有所述第一掺杂类型的外延层； 设置在所述外延层内的第二掺杂类型的阱区； 设置在所述阱区内的栅极沟槽结构，所述栅极沟槽结构包括覆盖于所述栅极沟槽结构的表面的栅极氧化层，以及位于所述栅极沟槽结构的底部的栅极氧化层之上的栅极和PN结结构，所述栅极和所述PN结结构之间相互绝缘； 设置在所述栅极沟槽结构的一侧，且与所述栅极沟槽结构接触的所述第一掺杂类型的第一掺杂区； 设置在所述栅极沟槽结构的另一侧，且与所述栅极沟槽结构接触的所述第二掺杂类型的第二掺杂区； 所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反； 所述栅极在平行于所述碳化硅衬底方向上的长度与所述PN结结构在平行于所述碳化硅衬底方向上的长度相等，且所述栅极在垂直于所述碳化硅衬底方向上的长度与所述PN结结构在垂直于所述碳化硅衬底方向上的长度相等； 所述PN结结构包括： 设置在所述栅极沟槽结构的底部的栅极氧化层之上的第一结构和第二结构，所述第一结构和所述第二结构之间的接触面垂直于所述第一表面； 所述第一结构的掺杂类型与所述第二结构的掺杂类型相反。

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