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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110676493.0，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体装置是由河野洋志设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；沿第一方向延伸的栅极电极；碳化硅层，设于第一电极与第二电极之间，且包括：具有与栅极电极对置的第一区域和与第一电极相接的第二区域的第一导电型的第一碳化硅区域；第二导电型的第二碳化硅区域；以及在与第二碳化硅区域之间夹持第一区域的第二导电型的第三碳化硅区域；以及栅极电极，与第一方向垂直的第二方向的第一区域的第一宽度为0.5μm以上且1.2μm以下，第二区域的第二方向的第二宽度为0.5μm以上且1.5μm以下，在通过第一区域的第二方向的中点并沿第一方向延伸的中心线上相对于第四碳化硅区域与第一电极相接的部分位于第二方向的线段与在通过第二区域的第二方向的中点并沿第一方向延伸的中心线上与第二区域重叠的线段之间的最短距离为第一宽度的3倍以上。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 第一电极； 第二电极； 栅极电极，沿第一方向延伸； 碳化硅层，设于所述第一电极与所述第二电极之间，具有所述第一电极侧的与所述第一方向平行的第一面和所述第二电极侧的第二面，且包括： 第一导电型的第一碳化硅区域，具有与所述第一面相接且与所述栅极电极对置且沿所述第一方向延伸的第一区域、以及与所述第一面相接且与所述第一电极相接的第二区域； 第二导电型的第二碳化硅区域，设于所述第一碳化硅区域与所述第一面之间，至少一部分被夹在所述第一区域与所述第二区域之间，与所述栅极电极对置，并与所述第一电极电连接； 第二导电型的第三碳化硅区域，设于所述第一碳化硅区域与所述第一面之间，在与所述第二碳化硅区域之间夹持所述第一区域，与所述栅极电极对置，并与所述第一电极电连接；以及 第一导电型的第四碳化硅区域，设于所述第二碳化硅区域与所述第一面之间，并与所述第一电极电连接；以及 栅极绝缘层，设于所述栅极电极与所述第二碳化硅区域之间、所述栅极电极与所述第三碳化硅区域之间以及所述栅极电极与所述第一区域之间， 与所述第一方向垂直的第二方向上的所述第一区域的第一宽度为0.5μm以上且1.2μm以下， 所述第二区域的所述第二方向的第二宽度为0.5μm以上且1.5μm以下， 第一线段与第二线段之间的最短距离为所述第一宽度的3倍以上， 所述第一线段在所述第一面中，在通过所述第一区域的所述第二方向的第一中点并沿所述第一方向延伸的第一中心线上，相对于所述第四碳化硅区域与所述第一电极相接的部分位于所述第二方向， 所述第二线段在所述第一面中，在通过所述第二区域的所述第二方向的第二中点并沿所述第一方向延伸的第二中心线上，与所述第二区域重叠， 所述碳化硅层在所述第一电极与所述第二碳化硅区域之间还包括第五碳化硅区域，所述第五碳化硅区域的第二导电型杂质浓度比所述第二碳化硅区域的第二导电型杂质浓度高， 所述第一电极与所述第五碳化硅区域的第一界面比所述第一电极与所述第二区域的第二界面深。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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