厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司郭茂峰获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司申请的专利一种发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210471748.4，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权一种发光二极管及其制造方法是由郭茂峰;高默然;郑锦坚;毕京锋;沈侠强;金全鑫;王思琦设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种发光二极管及其制造方法，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括从下到上依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反；阻挡层，位于所述第一半导体层和所述多量子阱层之间；引导层，位于所述第一半导体层和阻挡层之间；以及纳米孔阵列，所述纳米孔阵列垂直于所述第一半导体层的表面，且至少位于所述引导层和第一半导体层中。本发明提供的发光二极管及其制造方法，在所述第一半导体层和所述多量子阱层之间设置阻挡层和引导层，形成贯穿引导层和第一半导体层且垂直于所述第一半导体层表面的纳米孔阵列，以对发光二极管的出光进行调整。
本发明授权一种发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括从下到上依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反； 阻挡层，位于所述第一半导体层和所述多量子阱层之间，对所述多量子阱层进行保护； 引导层，位于所述第一半导体层和阻挡层之间；以及 纳米孔阵列，所述纳米孔阵列垂直于所述第一半导体层的表面，且至少位于所述引导层和第一半导体层中； 所述阻挡层比所述第一半导体层和引导层的掺杂浓度低。
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