格芯新加坡私人有限公司文凤雄获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利高电压去耦电容器和集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530436B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111149924.4，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权高电压去耦电容器和集成方法是由文凤雄;具正谋设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电压去耦电容器和集成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高电压去耦电容器和集成方法。提供了一种电容器。该电容器包括位于衬底中的第一隔离区中的第一导电层和位于第一隔离区上方的多个电介质层。该多个电介质层可以包括层间电介质ILD层和金属间电介质IMD层。第一导电层为电容器的底板。第二导电层布置在多个电介质层上方，其中第二导电层是电容器的顶板并且与第一导电层至少部分地重叠。
本发明授权高电压去耦电容器和集成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器，包括： 第一导电层，其位于衬底中的第一隔离区中； 多个电介质层，其位于所述第一隔离区上方； 位于所述第一导电层上方的第一互连，其中所述第一互连延伸穿过所述第一导电层上方的所述第一隔离区的一部分并穿过所述多个电介质层以耦接到第一接合衬垫；以及 第二导电层，其位于所述多个电介质层上方，其中所述第二导电层与所述第一导电层至少部分地重叠。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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