三星显示有限公司李娜姈获国家专利权
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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利磁体模块和包括该磁体模块的溅射设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114481059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111326477.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权磁体模块和包括该磁体模块的溅射设备是由李娜姈;李宽龙;南相睦设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁体模块和包括该磁体模块的溅射设备在说明书摘要公布了：公开了磁体模块和包括该磁体模块的溅射设备。该磁体模块包括至少一个磁体单元。每个磁体单元包括第一磁体构件和在平面图中围绕第一磁体构件的第二磁体构件。第一磁体构件沿着第一方向延伸，并且包括中间部和端部。第一磁体构件包括：第一部，设置在中间部中，并且沿着第一方向延伸；以及第二部，设置在端部中，并且具有比第一部的宽度大的宽度。
本发明授权磁体模块和包括该磁体模块的溅射设备在权利要求书中公布了：1.一种磁体模块，所述磁体模块包括至少一个磁体单元，每个磁体单元包括第一磁体构件和在平面图中围绕所述第一磁体构件的第二磁体构件，所述第一磁体构件沿着第一方向延伸并且包括中间部和端部， 其中，所述第一磁体构件包括：第一部，设置在所述中间部中，并且沿着所述第一方向延伸；以及第二部，设置在所述端部中，并且具有比所述第一部的宽度大的宽度，并且 其中，所述第一磁体构件的宽度在Y1等于或大于L10.5且等于或小于L11.2的部分处增大，其中，Y1是沿着所述第一方向从所述第一磁体构件到所述第二磁体构件的外边界的距离，并且L1是每个磁体单元的沿着第二方向的宽度，所述第二方向与所述第一方向交叉。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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