买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种适用于多端口静电保护MOS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210104671.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种适用于多端口静电保护MOS结构是由范炜盛设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于多端口静电保护MOS结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种适用于多端口静电保护MOS结构，属于半导体器件及制造领域。在该适用于多端口静电保护MOS结构中，通过在电源阳极、电源阴极和IO端口形成的NPN电流通道、PNDiode电流通道，实现电源阳极、电源阴极和IO端口之间的全方位保护；此外，与相关技术中设置IO端口到电源阴极、IO端口到电源阳极和电源阳极到电源阴极对应的多个ESD器件保护相比，本申请能够通过单个静电保护MOS结构就实现上述多端口静电保护需求，减少了ESD器件数量，进一步节约了芯片面积。

本发明授权一种适用于多端口静电保护MOS结构在权利要求书中公布了：1.一种适用于多端口静电保护MOS结构，其特征在于，包括：衬底、电学隔离层、P型阱、第一N型阱、第二N型阱、栅极、源极、漏极、第一体区、第二体区、第一N型重掺杂区、第二重掺杂区、第三重掺杂区、第四N型重掺杂区、第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区； 其中，所述电学隔离层形成于所述衬底上，所述P型阱、所述第一N型阱和所述第二N型阱均位于所述电学隔离层上； 所述栅极形成于所述P型阱上方，所述源极和所述漏极对称设置于所述P型阱上表面两侧，所述第一体区和所述第二体区对称设置于所述P型阱上表面两侧； 所述第一N型阱的上表面形成有所述第一N型重掺杂区和所述第一P型重掺杂区；所述第二N型阱的上表面形成有所述第四N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区；所述第一N型阱和所述P型阱之间设置所述第二重掺杂区，所述P型阱和所述第二N型阱之间设置所述三重掺杂区； 所述第一体区设置在远离所述栅极的所述源极的外侧；所述第二体区设置在远离所述栅极的所述漏极的外侧；所述第一P型重掺杂区设置在所述第一N型重掺杂区的外侧；所述第二P型重掺杂区设置在所述第四N型重掺杂区的外侧； 其中，所述第一N型重掺杂区和所述第四N型重掺杂区均连接至电源阳极；所述栅极连接至电源阴极；所述漏极连接IO端口；所述第一P型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区分别与所述IO端口短接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。