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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利静电放电保护GGNMOS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210059237.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电保护GGNMOS结构是由范炜盛设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电放电保护GGNMOS结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种静电放电保护GGNMOS结构，包括：衬底、深隔离结构、环形N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区、第一栅氧化层、第二栅氧化层、第一环形P型重掺杂区、第二环形P型重掺杂区、第三环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区和多个浅隔离结构。本申请通过在所述第一环形P型重掺杂区的外围设置所述第二环形P型重掺杂区，使得所述第二环形P型重掺杂区、所述环形N型阱区和所述第一P型阱区分别与所述第一N型重掺杂区、所述第三N型重掺杂区形成SCR泄放电流通道，从而提高静电放电保护GGNMOS结构的鲁棒性。

本发明授权静电放电保护GGNMOS结构在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护GGNMOS结构，其特征在于，包括：衬底、深隔离结构、环形N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区、第一栅氧化层、第二栅氧化层、第一环形P型重掺杂区、第二环形P型重掺杂区、第三环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区和多个浅隔离结构； 其中，所述深隔离结构覆盖所述衬底，所述环形N型阱区、所述第一P型阱区和所述第二P型阱区均位于所述深隔离结构上，所述环形N型阱区包围所述第一P型阱区，所述第二P型阱区包围所述环形N型阱区； 所述第一N型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区间隔设置于所述第一P型阱区中且靠近所述第一P型阱区的上表面，所述第一栅氧化层覆盖所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区之间的所述第一P型阱区的表面，所述第二栅氧化层覆盖所述第二N型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区之间的所述第一P型阱区的表面； 所述第一环形P型重掺杂区位于所述第一P型阱区中且包围所述第一N型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区，所述第二环形P型重掺杂区位于所述环形N型阱区中且包围所述第一环形P型重掺杂区，所述环形N型重掺杂区位于所述环形N型阱区中且包围所述第二环形P型重掺杂区，所述第三环形P型重掺杂区位于所述第二P型阱区中且包围所述环形N型重掺杂区； 所述第一环形P型重掺杂区与所述第一N型重掺杂区、所述第三N型重掺杂区之间、所述第一环形P型重掺杂区与所述第二环形P型重掺杂区之间以及所述环形N型重掺杂区与所述第三环形P型重掺杂区之间均设置一所述浅隔离结构； 其中，所述第二N型重掺杂区、所述第二环形P型重掺杂区和所述环形N型重掺杂区均连接至外部电源的阳极；所述第一N型重掺杂区、所述第三N型重掺杂区、所述第一栅氧化层、所述第二栅氧化层、所述第一环形P型重掺杂区和所述第三环形P型重掺杂区均连接至外部电源的阴极。

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