国立大学法人东京大学竹谷纯一获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉国立大学法人东京大学申请的专利有机半导体器件及其源极/漏极用电极的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114424355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080061994.1，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权有机半导体器件及其源极/漏极用电极的制造方法是由竹谷纯一;渡边峻一郎;牧田龙幸设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本有机半导体器件及其源极/漏极用电极的制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种微细的电极，其能使有机半导体不易经时变化而用于有机半导体器件的实际使用的集成电路的制造。本公开涉及一种源极漏极用电极，其是有机半导体器件的源极漏极用电极，该源极漏极用电极包含10组以上的电极，所述各组的电极之间的沟道长度为200μm以下，所述各组的电极具有表面粗糙度Rq为2nm以下的面。
本发明授权有机半导体器件及其源极/漏极用电极的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有机半导体器件的源极漏极用电极的制造方法，其中， 所述有机半导体器件的源极漏极用电极的制造方法包括如下步骤： 准备表面粗糙度Rq为2nm以下的基板； 在所述基板的表面形成剥离层； 在所述剥离层上形成10组以上沟道长度为200μm以下的源极漏极用电极； 在所述剥离层和所述电极上形成保护膜； 在所述保护膜上形成处理用膜； 使所述剥离层与所述电极和所述保护膜的界面剥离，得到包含所述电极、所述保护膜以及所述处理用膜的电极薄膜；以及 去除所述处理用膜， 所述形成剥离层的步骤包括如下步骤： 对所述基板的表面进行UV臭氧处理，在所述基板的表面形成羟基；以及 对形成有所述羟基的基板的表面进行SAM处理。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国立大学法人东京大学，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励