上海新硅聚合半导体有限公司欧欣获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114421911B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111509138.0，技术领域涉及：H03H3/08；该发明授权一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法是由欧欣;柯新建;黄凯设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法，所述复合结构自下而上依次包括单晶硅衬底层、多晶硅层、吸收层、绝缘层和压电单晶薄膜层，所述吸收层用于吸收光刻时的入射光线，本申请通过在所述多晶硅层上制备吸收层，可以有效吸收光刻的光线，减弱光刻时的散射和反射，提高光刻的分辨率，抑制表面寄生电导效应，提高制备器件的性能以及工作稳定性。
本发明授权一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种声表面波器件衬底的复合结构，其特征在于，所述复合结构自下而上依次包括单晶硅衬底层1、多晶硅层2、吸收层4、绝缘层5和压电单晶薄膜层6，所述吸收层4用于吸收光刻时的入射光线，当所述吸收层4为非晶硅层时，所述吸收层4上设置有多个凹槽或凸起，多个所述凹槽或凸起等距间隔分布，所述凹槽或凸起之间的间隔不小于1μm；所述绝缘层5选用非晶氮化铝、氧化硅、氮化硅中的一种，用于提供键合界面。
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