烽火通信科技股份有限公司;烽火藤仓光纤科技有限公司阳哲俊获国家专利权
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龙图腾网获悉烽火通信科技股份有限公司;烽火藤仓光纤科技有限公司申请的专利一种感温多模光纤获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223650759U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520169098.7，技术领域涉及：G02B6/02；该实用新型一种感温多模光纤是由阳哲俊;喻煌;郭浩;彭楚宇;沈坤杰;陈剑锋设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种感温多模光纤在说明书摘要公布了：本申请涉及一种感温多模光纤，其包括沿径向由内到外依次设置的芯层、平坦内包层、第一过渡包层、平坦下陷包层、第二过渡包层和外包层；所述芯层和平坦内包层均采用氟锗共掺的二氧化硅，所述平坦下陷包层采用氟掺杂的二氧化硅；所述芯层相对纯二氧化硅的相对折射率差为Δ1，平坦内包层相对纯二氧化硅的相对折射率差为Δ2，平坦下陷包层相对纯二氧化硅的相对折射率差为Δ4，Δ1＞Δ2＞Δ4；所述第一过渡包层相对纯二氧化硅的相对折射率差Δ3沿径向由内到外线性减小；所述第二过渡包层相对纯二氧化硅的相对折射率差Δ5沿径向由内到外线性增加。本申请可以解决相关技术中为了增强光纤的自发拉曼散射光信号检测能力而通过高掺锗增大数值孔径导致光纤界面间应力增大的问题。
本实用新型一种感温多模光纤在权利要求书中公布了：1.一种感温多模光纤，其特征在于，其包括沿径向由内到外依次设置的芯层1、平坦内包层2、第一过渡包层3、平坦下陷包层4、第二过渡包层5和外包层6； 其中，所述芯层1和所述平坦内包层2均采用氟锗共掺的二氧化硅，所述平坦下陷包层4采用氟掺杂的二氧化硅； 所述芯层1相对纯二氧化硅的相对折射率差为Δ1，平坦内包层2相对纯二氧化硅的相对折射率差为Δ2，平坦下陷包层4相对纯二氧化硅的相对折射率差为Δ4，Δ1＞Δ2＞Δ4； 所述第一过渡包层3相对纯二氧化硅的相对折射率差Δ3沿径向由内到外线性减小； 所述第二过渡包层5相对纯二氧化硅的相对折射率差Δ5沿径向由内到外线性增加。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人烽火通信科技股份有限公司;烽火藤仓光纤科技有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新四路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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