沈阳星光新材料有限公司任云获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳星光新材料有限公司申请的专利一种重结晶碳化硅-碳氮化硅陶瓷膜的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120939767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511468420.7,技术领域涉及:B01D67/00;该发明授权一种重结晶碳化硅-碳氮化硅陶瓷膜的制备方法是由任云;刘长春;郝建亮;韩瑞荣;张秋月;孙鹏金;张娜;孙海航设计研发完成,并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种重结晶碳化硅-碳氮化硅陶瓷膜的制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于纳滤技术领域,提供了一种重结晶碳化硅‑碳氮化硅陶瓷膜的制备方法。本发明在多孔基体上第一次施加聚硅氮烷溶液后进行第一热解,得到热解材料;在所述热解材料上第二次施加聚硅氮烷溶液后进行第二热解,得到所述重结晶碳化硅‑碳氮化硅陶瓷膜。本发明以含炔丙基聚硅氮烷的溶液或有机聚硅氮烷Durazane1500rapidcure快干型树脂为前驱体制备陶瓷膜,具有高陶瓷产率、优异高温稳定性、高截留率及可控的微结构,适用于极端环境下的分离与防护应用。
本发明授权一种重结晶碳化硅-碳氮化硅陶瓷膜的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种重结晶碳化硅‑碳氮化硅陶瓷膜的制备方法,包括以下步骤: 在多孔基体上第一次施加聚硅氮烷溶液后进行第一热解,得到热解材料; 在所述热解材料上第二次施加聚硅氮烷溶液后进行第二热解,得到所述重结晶碳化硅‑碳氮化硅陶瓷膜; 所述第一热解的过程为: 以1~2℃min由室温升温至300℃进行第一保温; 以2~5℃min由300℃升温至600℃进行第二保温; 以3~5℃min由600℃升温至1000℃进行第三保温; 以2℃min由1000℃升温至1200℃进行第四保温; 重复所述在多孔基体上第一次施加聚硅氮烷溶液后进行第一热解的过程,直至所述热解材料的孔径小于等于1nm; 所述第二热解包括依次进行第一热解和重结晶; 所述重结晶的过程为: 以2℃min由1200℃升温至1400℃进行第五保温; 以2~5℃min由1400℃升温至1600℃进行第六保温; 所述重结晶在氮气氛围或者氨气氛围下进行; 所述聚硅氮烷溶液为含炔丙基聚硅氮烷的溶液或有机聚硅氮烷Durazane 1500 rapid cure快干型树脂; 所述炔丙基聚硅氮烷中炔丙基的含量为10~30mol%。
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