浙江创豪半导体有限公司唐华获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创豪半导体有限公司申请的专利无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120933164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511449988.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板是由唐华;连程杰;卢海林;张婷设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板，包括：提供支撑板，支撑板包括基材、附着于基材两侧的第一铜箔、附着于第一铜箔的第二铜箔；在第二铜箔上压合第一半固化片和第三铜箔；在第三铜箔上进行图形制作，以形成电路图形；在第三铜箔上压合第二半固化片和第四铜箔，其中第二半固化片的厚度与第一半固化片的厚度不同，以使第二半固化片固化形成的第二介电层的厚度与第一半固化片固化形成的第一介电层的厚度相同；将第一铜箔与第二铜箔分离，以得到两张无芯封装基板。本申请实施例的加工方法能够减小由于第一介电层与第二介电层应力不均而导致的基板翘曲，因此能够减小无芯封装基板的翘曲度，提高后续制程的生产良率。
本发明授权无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板在权利要求书中公布了：1.一种无芯封装基板的加工方法，其特征在于，包括： 提供支撑板，所述支撑板包括基材、附着于所述基材两侧的第一铜箔、附着于所述第一铜箔的第二铜箔； 在所述第二铜箔上压合第一半固化片和第三铜箔； 在所述第三铜箔上进行图形制作，以形成电路图形； 在所述第三铜箔上压合第二半固化片和第四铜箔，其中所述第二半固化片的厚度与所述第一半固化片的厚度不同，以使所述第二半固化片固化形成的第二介电层的厚度与所述第一半固化片固化形成的第一介电层的厚度相同； 将所述第一铜箔与所述第二铜箔分离，以得到两张无芯封装基板，所述无芯封装基板包括依次层叠的第二铜箔、第一半固化片、第三铜箔、第二半固化片、第四铜箔。
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