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龙图腾网获悉亿威盛半导体科技(上海)有限公司申请的专利碳化硅部件等离子体轰击能量分布检测与寿命预测的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120930510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511452763.4，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权碳化硅部件等离子体轰击能量分布检测与寿命预测的方法是由丁双伟设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅部件等离子体轰击能量分布检测与寿命预测的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅部件等离子体轰击能量分布检测与寿命预测的方法，属于基于深度学习的半导体加工技术领域；首先布设磁探针阵列以获取局部电磁参数，并利用光学成像和光谱采集设备获取等离子体发光特征；对获取数据进行预处理，得到多源融合特征；设计一种基于生成对抗网络的能量分布重建框架，其中生成器用以推断等离子体的三维能量分布场；三维能量分布场时序特征输入轰击动态特征建模时序深度网络，建立能量分布与材料老化之间的非线性映射关系，进一步获得寿命预测参数，最终得到碳化硅部件的剩余使用寿命。本发明能够更为准确地反映复杂的退化机理，显著提升寿命预测的精度与鲁棒性。

本发明授权碳化硅部件等离子体轰击能量分布检测与寿命预测的方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅部件等离子体轰击能量分布检测与寿命预测的方法，其特征在于，包括以下过程： S1，布设磁探针阵列以获取局部电磁参数，并同步利用光学成像和光谱采集设备获取等离子体的发光特征； S2，使用环境处理参数对获取的数据进行预处理，将不同来源的数据映射到统一的坐标框架和时间基准下，并提取出与能量输入密切相关的关键特征参数，得到多源融合特征，包括等离子体轰击下的电磁与光学特征和对齐后的工艺条件向量； S3，利用生成对抗网络GAN，基于和，结合物理约束和数据驱动方法，重建出工件内部三维能量沉积分布； S4，基于轰击动态特征建模时序深度网络，首先通过三维能量沉积分布构造可学习的帧级向量，每一帧生成一个低维特征向量，并与工艺条件向量拼接，形成联合帧级特征序列；将联合帧级特征序列输入双向LSTM获得时刻级隐藏状态，并在其上构建事件检测与时序注意力，得到能量时序特征；训练一个回归映射，把能量时序特征转换为材料老化指标预测结果； S5，在得到的、、、的基础上，建立寿命退化模型推算碳化硅部件的剩余使用寿命。

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