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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120924908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511464036.X，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜及其制备方法是由蒋大勇;苏文清;赵曼;魏浩明;段雨晗设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及金属氧化物薄膜制备技术领域，尤其涉及一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜及其制备方法。包括：将纳米级SnO2粉末与普通SnO2粉末混匀，加入至红外陶瓷模具中压制成预烧制靶块，再在氧气气氛下烧结、冷却，得到SnO2掺杂物陶瓷靶材；将清洗后的衬底和装载有Ga2O3靶材的靶座放入溅射腔室；将N片SnO2掺杂物陶瓷靶材等间距的堆叠在Ga2O3靶材的环形溅射区域上，形成环形排列分布，抽真空；其中N≥1；室温下通入惰性气体，进行磁控溅射，使溅射靶材沉积在衬底表面。优点在于：掺杂浓度调控灵活，制备效率高；薄膜质量好，缺陷浓度低；工艺简单，成本低；可实现器件性能优化。

本发明授权一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤： S1.将纳米级SnO2粉末与普通SnO2粉末混匀，加入至红外陶瓷模具中压制成预烧制靶块，再在氧气气氛下烧结、冷却，得到SnO2掺杂物陶瓷靶材；包括如下子步骤： S101.将纳米级SnO2粉末与250~350目普通SnO2粉末按质量比为1:8~10混合，并加入少量酒精研磨，充分混匀； S102.将混匀后的混合粉末加入至红外陶瓷模具中，施加8~10 MPa的压力，保压0.5~2分钟后脱模，获得厚度为1~2mm的预烧制靶块； S103.将预烧制靶块在氧气气氛、1000~1200℃下烧结1.5~2.5小时，使其完全致密陶瓷化，冷却后即得SnO2掺杂物陶瓷靶材； S2.清洗衬底；将清洗后的衬底和装载有Ga2O3靶材的靶座放入溅射腔室； S3.将Ga2O3靶材放置在溅射腔室的中心位置，根据需要的掺杂浓度，将N片SnO2掺杂物陶瓷靶材等间距的堆叠在Ga2O3靶材的环形溅射区域上，形成环形排列分布，抽真空；其中，N≥1； S4.在室温下，通入惰性气体，并调节溅射压强至3~5Pa；进行磁控溅射，使溅射靶材沉积在衬底表面，得到锡掺杂非晶氧化镓薄膜。

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