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龙图腾网获悉苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利基于芯片老化分析的微观结构变化追踪方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120908646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511432168.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权基于芯片老化分析的微观结构变化追踪方法是由郝建勇;潘恩星;董志意设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于芯片老化分析的微观结构变化追踪方法在说明书摘要公布了：本发明涉及数据分析技术领域，是基于芯片老化分析的微观结构变化追踪方法，具体包括：获取芯片出厂结构数据导入芯片变化预测模型，得到初始聚集稳定指数，进行芯片老化情况评估，若评估结果为待翻新等级，则进入芯片检修翻新流程；若评估结果为待回收等级，则构建物理场耦合迁移模型，分析输出芯片上贵金属原子初始的瞬时迁移速度；对邻近贵金属原子进行干扰分析，并对瞬时迁移速度进行修正补偿，追踪得到芯片上各个回收评估点位置的贵金属原子的聚集密度情况，并筛选出芯片的高潜力点。本发明解决了现有技术中，老化芯片上高潜力回收点识别效率低下的问题。

本发明授权基于芯片老化分析的微观结构变化追踪方法在权利要求书中公布了：1.基于芯片老化分析的微观结构变化追踪方法，其特征在于，所述方法包括如下具体步骤： S1：获取芯片出厂结构数据和使用过程中的老化日志数据； S2：获取芯片出厂结构数据导入芯片变化预测模型进行初始聚集区定位，得到初始聚集稳定指数； S3：根据初始聚集稳定指数进行芯片老化情况评估： 若评估结果为待翻新等级，则进入芯片检修翻新流程； 若评估结果为待回收等级，则执行步骤S4； S4：构建物理场耦合迁移模型，通过物理场耦合迁移模型分析输出芯片上贵金属原子初始的瞬时迁移速度； S4包括： S41：根据芯片历史的老化日志数据，分析得到原始冲击强度数据集，包括：热场冲击强度和电场冲击强度； S42：根据热场冲击强度和电场冲击强度，量化热物理场与电物理场之间的场间耦合效应，得到场间耦合效率； S43：结合步骤S42输出的场间耦合效率同步评估热物理场与电物理场对贵金属迁移行为的影响主导情况，得到影响主导强度系数； S44：根据步骤S41中的原始冲击强度数据集以及步骤S43输出的影响主导强度系数，构建贵金属原子迁移方程； 所述贵金属原子迁移方程具体为： ； 其中，为贵金属原子的迁移速度；为热物理场的影响主导强度系数；为电物理场的影响主导强度系数；分别为热迁移驱动分量和电迁移驱动分量； S45：根据步骤S44构建得到的贵金属原子迁移方程，通过预设的单位迁移时间计算贵金属原子初始的瞬时迁移速度以及瞬时位置； S5：对邻近贵金属原子之间的迁移行为进行干扰分析，根据干扰分析结果对S4输出的瞬时迁移速度进行修正补偿，然后追踪得到芯片上各个回收评估点位置的贵金属原子的聚集密度情况； S6：提取S5输出的聚集密度情况并排序，得到聚集密度序列，对聚集密度序进行筛选处理，将筛选结果输出为芯片的高潜力点。

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