厦门银科启瑞半导体科技有限公司王玉获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种GaAs太阳电池的外延结构及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120897577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511416684.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种GaAs太阳电池的外延结构及其生长方法是由王玉;张银桥;夏宏营;曾世煜;郑文娟;吴志鹏设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaAs太阳电池的外延结构及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaAs太阳电池的外延结构及其生长方法，包括从下至上依次层叠设置的衬底、第一隧穿结、DBR层、中电池、第二隧穿结和顶电池，所述衬底作为底电池；所述DBR层由AlxGa1‑xAs层和InyGa1‑yAs层交替生长而成，其中，所述AlxGa1‑xAs层采用C元素进行掺杂，所述InyGa1‑yAs层采用Zn元素进行掺杂，C元素在高Al组分的AlxGa1‑xAs层中具有很高的掺杂效率和溶解度，克服了Zn掺杂效率低的瓶颈，使得DBR层中的两种材料都能实现高浓度、均匀的P型掺杂，极大地降低了AlxGa1‑xAsInyGa1‑yAs异质界面处的势垒，显著减少了DBR层带来的串联电阻。
本发明授权一种GaAs太阳电池的外延结构及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种GaAs太阳电池的外延结构，其特征在于：包括从下至上依次层叠设置的衬底、第一隧穿结、DBR层、中电池、第二隧穿结和顶电池，所述衬底作为底电池；所述DBR层由AlxGa1‑xAs层和InyGa1‑yAs层交替生长而成，其中，0.5≤x≤0.9，0.0095≤y≤0.015，且所述AlxGa1‑xAs层采用C元素进行掺杂，所述InyGa1‑yAs层采用Zn元素进行掺杂，所述AlxGa1‑xAs层和InyGa1‑yAs层的掺杂浓度均为4E18cm‑3‑8E18cm‑3。
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