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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种三结太阳电池的外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120897576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511415050.0，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种三结太阳电池的外延结构及其制备方法是由夏宏营;张银桥;王玉;郑文娟;叶芊芊设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三结太阳电池的外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三结太阳电池的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括依次层叠设置的Ge子电池、第一隧穿结、InGaAs子电池、第二隧穿结和GaInP子电池，其中，所述InGaAs子电池包含有多组量子阱层，每组量子阱层均由InGaAs阱层和GaAsP垒层交替层叠组成；多组量子阱层中，InGaAs阱层的In组分沿背离Ge子电池的方向逐级减小，实现逐级吸收InGaAs基区不能吸收的太阳光谱有效拓宽InGaAs子电池对长波光子的吸收范围，且减缓其量子阱层的原子扩散，有效提高太阳电池的光电转化效率。

本发明授权一种三结太阳电池的外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三结太阳电池的外延结构，其特征在于：包括依次层叠设置的Ge子电池、第一隧穿结、InGaAs子电池、第二隧穿结和GaInP子电池，其中，所述InGaAs子电池包含有多组量子阱层，每组量子阱层均由InGaAs阱层和GaAsP垒层交替层叠组成；多组量子阱层中，InGaAs阱层的In组分沿背离Ge子电池的方向逐级减小，GaAsP垒层的P组分沿背离Ge子电池的方向逐级减小，所述InGaAs子电池包含有三组量子阱层，沿背离Ge子电池的方向依次为第一组量子阱层、第二组量子阱层和第三组量子阱层； 第一组量子阱层中，InGaAs阱层的In组分为10%，厚度为8.5nm，第一组量子阱层的光致发光波长为930nm； 第二组量子阱层中，InGaAs阱层的In组分为7.8%，厚度为8.5nm，第二组量子阱层的光致发光波长为910nm； 第三组量子阱层中，InGaAs阱层的In组分为5.5%，厚度为8.5nm，第三组量子阱层的光致发光波长为890nm； 所述第一隧穿结和InGaAs子电池之间设有多组InGaAsAlGaAs的DBR层，多组DBR层的反射波长沿背离Ge子电池的方向逐级减小，多组DBR层复合后的有效反射波长覆盖665nm‑930nm的波段。

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