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重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学陈文锁获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学申请的专利一种瞬态响应增强型多环路低压差线性稳压器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120891871B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511421515.3,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种瞬态响应增强型多环路低压差线性稳压器是由陈文锁;舒航;徐向涛;张成方;王航设计研发完成,并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种瞬态响应增强型多环路低压差线性稳压器在说明书摘要公布了:本申请提供一种瞬态响应增强型多环路低压差线性稳压器,包括:偏置模块,用于提供偏置电压;带隙基准模块,用于提供参考电压;功率管,用于提供输出电压;电压跟随器,用于基于所述偏置电压和所述参考电压产生控制电压和驱动电流;源极耦合误差放大器,用于根据所述输出电压和所述控制电压生成增益电压;共栅极,用于根据所述参考电压和所述增益电压产生第一电压;伪差分共栅极,用于根据所述参考电压和所述增益电压产生第二电压;动态超级源随器,用于根据所述第一电压和所述第二电压在所述功率管的栅极形成推挽结构。本申请可有效提高稳压器的瞬态响应性能。

本发明授权一种瞬态响应增强型多环路低压差线性稳压器在权利要求书中公布了:1.一种瞬态响应增强型多环路低压差线性稳压器,其特征在于,包括: 偏置模块,用于提供偏置电压; 带隙基准模块,用于提供参考电压; 功率管,用于提供输出电压; 电压跟随器,用于基于所述偏置电压和所述参考电压产生控制电压和驱动电流; 源极耦合误差放大器,用于根据所述输出电压和所述控制电压生成增益电压; 共栅极,用于根据所述参考电压和所述增益电压产生第一电压; 伪差分共栅极,用于根据所述参考电压和所述增益电压产生第二电压; 动态超级源随器,用于根据所述第一电压和所述第二电压在所述功率管的栅极形成推挽结构;动态超级源随器包括:第二十一晶体管、第二十二晶体管、第二十三晶体管以及第一电阻;所述第二十一晶体管的栅极作为所述动态超级源随器的反相输入端,并接所述共栅极的输出端;所述第二十二晶体管的栅极作为所述动态超级源随器的同相输入端,并与所述伪差分共栅极的输出端连接;所述第二十一晶体管的源极接电源电压,漏极分别接所述第二十二晶体管的源极和所述第二十三晶体管的漏极作为所述动态超级源随器的输出端;所述第二十二晶体管的漏极与所述第二十三晶体管的栅极连接,并通过所述第一电阻接地;所述第二十三晶体管的源极接地; 所述源极耦合误差放大器包括:第一共栅跨导和第二共栅跨导;所述第一共栅跨导的同相输入端与所述第二共栅跨导的反相输入端连接作为所述源极耦合误差放大器的同相输入端;所述第一共栅跨导的反向输入端与所述第二共栅跨导的同相输入端连接作为源极耦合误差放大器的反相输入端;所述第一共栅跨导的输出端与所述伪差分共栅极的同相输入端连接;所述第二共栅跨导的输出端与所述共栅极的输入端连接; 其中,所述功率管的源极接电源电压,栅极接所述动态超级源随器的输出端,漏极输出所述输出电压; 所述共栅极包括:第一晶体管和第三晶体管;所述第一晶体管的栅极接所述参考电压,漏极接所述第三晶体管的漏极,源极作为所述共栅极的输入端;所述第三晶体管的源极接所述电源电压,栅极与漏极短接作为所述共栅极的输出端; 所述伪差分共栅极包括:第二晶体管和第四晶体管;所述第二晶体管的栅极接所述参考电压,源极作为所述伪差分共栅极的同相输入端,漏极与所述第四晶体管的漏极连接作为所述伪差分共栅极的输出端;所述第四晶体管的源极接所述电源电压,栅极作为所述伪差分共栅极的反相输入端,并与所述共栅极的输出端连接; 所述第一共栅跨导与所述第二共栅跨导的电路结构相同,所述第一共栅跨导包括:第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管;所述第五晶体管的源极作为所述第一共栅跨导的同相输入端接所述输出电压,漏极与所述第七晶体管的漏极连接作为所述第一共栅跨导的输出端,栅极与所述第六晶体管的栅极连接;所述第六晶体管的源极作为所述第一共栅跨导的反相输入端,栅极与漏极连接并接所述第八晶体管的漏极;所述第七晶体管的栅极和所述第八晶体管的栅极接所述偏置电压;所述第七晶体管的源极和所述第八晶体管的源极接地; 所述第二共栅跨导包括:第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管;所述第九晶体管的源极作为所述第二共栅跨导的同相输入端接所述控制电压,漏极与所述第十一晶体管的漏极连接作为所述第二共栅跨导的输出端,栅极与所述第十晶体管的栅极连接;所述第十晶体管的源极作为所述第二共栅跨导的反相输入端,栅极与漏极连接并接所述第十二晶体管的漏极;所述第十一晶体管的栅极和所述第十二晶体管的栅极接所述偏置电压;所述第十一晶体管的源极和所述第十二晶体管的源极接地; 所述电压跟随器包括:第二偏置晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管和第二十晶体管;所述第二偏置晶体管的源极、所述第十九晶体管的源极、所述第二十晶体管的源极分别接地;所述第十五晶体管的源极、所述第十六晶体管的源极、所述第十七晶体管的源极以及所述第十八晶体管的源极接所述电源电压;所述第十三晶体管的栅极接所述参考电压,源极分别接所述第十四晶体管的源极和所述第二偏置晶体管的漏极,漏极接所述第十五晶体管的漏极;所述第二偏置晶体管的栅极接所述偏置电压;所述第十四晶体管的栅极分别接所述第十九晶体管的漏极和所述第十七晶体管的漏极以输出所述控制电压;所述第十三晶体管的漏极分别接所述第十五晶体管的漏极、所述第十五晶体管的栅极以及所述第十七晶体管的栅极; 所述第十四晶体管的漏极分别接所述第十六晶体管的漏极、所述第十六晶体管的栅极以及所述第十八晶体管的栅极,所述第十八晶体管的漏极分别接所述第十九晶体管的栅极、所述第二十晶体管的栅极以及所述第二十晶体管的漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学,其通讯地址为:405200 重庆市梁平区梁平工业园区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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