微玖(苏州)光电科技有限公司余鹿鸣获国家专利权
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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511383446.1，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法是由余鹿鸣;钟冠伦;黄振;张宇;王程功;郑鹏远设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于隧道结的高性能红光MicroLED外延结构及制备方法，结构包括：GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaInP刻蚀截止层、隧道结结构、n型AlInP限制层、InGaPAlInP多量子阱发光层、p型AlInP限制层及p型GaP接触层；所述隧道结结构自下而上由高掺n型GaP层、高掺p型GaP层及低掺p型GaP层组成，且所述隧道结结构用于实现后续透明电极与外延层的欧姆接触，并辅助电流横向扩展；本发明实现ITO与外延层低阻欧姆接触，亮度提升，电流均匀性误差小，器件寿命提升，且兼容现有产线，适用于高密度MiniMicroLED显示、ARVR近眼显示等场景。
本发明授权一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构，其特征在于，自下而上依次包括：GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaInP刻蚀截止层、隧道结结构、n型AlInP限制层、InGaPAlInP多量子阱发光层、p型AlInP限制层及p型GaP接触层；所述隧道结结构自下而上由高掺n型GaP层、高掺p型GaP层及低掺p型GaP层组成，且所述隧道结结构用于实现后续透明电极与外延层的欧姆接触，并辅助电流横向扩展。
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