合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511373845.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种半导体结构及其制备方法、半导体器件是由王文智设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，属于半导体技术领域。半导体结构包括：衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；凹槽，由第一表面向衬底内凹陷，且凹槽与衬底的交界面呈阶梯状；埋氧结构，包括第一埋氧区和多个第二埋氧区，第一埋氧区由凹槽的底部向衬底内延伸，第二埋氧区由凹槽的部分侧壁向衬底内延伸；外延层，设置在埋氧结构上的凹槽内；以及空腔，设置在外延层、第一埋氧区和第二埋氧区之间的衬底内，且空腔的深度和第二埋氧区的深度相等，空腔中的气氛与外延层形成时的气氛相同。通过本发明提供的半导体结构及其制备方法、半导体器件，能够降低半导体器件的制备成本，提升器件的性能。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括： 衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面； 凹槽，由所述第一表面向所述衬底内凹陷，且所述凹槽与所述衬底的交界面呈阶梯状； 埋氧结构，包括第一埋氧区和多个第二埋氧区，所述第一埋氧区由所述凹槽的底部向所述衬底内延伸，所述第二埋氧区由所述凹槽的部分侧壁向所述衬底内延伸； 外延层，设置在所述埋氧结构上的所述凹槽内；以及空腔，设置在所述外延层、所述第一埋氧区和所述第二埋氧区之间的所述衬底内，且所述空腔的深度和所述第二埋氧区的深度相等，所述空腔中的气氛与所述外延层形成时的气氛相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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