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龙图腾网获悉长沙大微半导体有限公司申请的专利一种MEMS气压传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120869426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511406634.1，技术领域涉及：G01L9/00；该发明授权一种MEMS气压传感器及其制备方法是由钟欣荣;刘善进;周卫设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS气压传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明专利属于MEMS气压传感器制备技术领域，尤其是一种MEMS气压传感器及其制备方法，包括封装基板、芯片保护层和灌注壳体，主控芯片设置在封装基板的一侧，封装基板上设有灌注壳体、芯片保护层，封装基板的另一侧设有膜片平台、膜片保护腔，传感器主体内设有隔挡单元，隔挡单元将传感器主体分隔成气流缓冲腔和膜片保护腔，气流缓冲腔与芯片保护层位于封装基板的同一侧，灌注壳体上设有阵列式平整结构的盖体，盖体上设有气流出口，膜片平台的下方设有工字铆合结构，工字铆合结构内设有曲线气道。发明封装工序简单、成本低、可靠性高、成品率高，同时解决了封装或使用时进入烟油、松香等污染源影响膜片的灵敏度和使用寿命的问题。

本发明授权一种MEMS气压传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS气压传感器，包括封装基板、主控芯片和灌注主体，灌注主体通过灌注与封装基板固定连接，主控芯片设置在封装基板的一侧，主控芯片通过键合引线与封装基板上的电路连接；灌注主体包括灌注一体成型的芯片保护层、灌注壳体和膜片保护腔，膜片保护腔和主控芯片位于封装基板同一面的相对两侧，膜片保护腔内设有膜片平台；灌注壳体上设有盖体，盖体上设有气流出口，膜片平台的下方设有气流进口，膜片平台上设有膜片，膜片通过键合引线与电路连接；封装基板、灌注壳体以及盖体围合成传感器主体，其特征在于：灌注主体通过灌注热固型高温塑胶固化成型并用于保护主控芯片和键合引线形成芯片保护层，芯片保护层靠近膜片的一侧具有第一斜面，气流出口位于芯片保护层的上方；所述传感器主体内设有隔挡单元，所述第一斜面向下倾斜30°‑45°，第一斜面为粗糙面，粗糙面上设有灌注成型的若干U型槽或凸起点；灌注壳体的内侧侧壁设有3°‑10°的第二斜面，所述隔挡单元将传感器主体的内部空间分隔成气流缓冲腔和膜片保护腔，气流缓冲腔与芯片保护层位于封装基板的同一侧，所述隔挡单元为设置在膜片与主控芯片之间的缓冲墙，缓冲墙的高度高于膜片的高度，缓冲墙与芯片保护层之间形成气流缓冲腔，当从气流出口进入的气流沿着芯片保护层的第一斜面向下流动时，缓冲墙直接阻挡和改变气流移动的方向，并使气流中携带的液体或烟油受缓冲墙的阻挡而沉降，缓冲墙的高度高于膜片的高度，改变方向后的气流从膜片的上方流动，进而降低了气流直接冲刷膜片。

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