杭州芯逐半导体有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州芯逐半导体有限公司申请的专利一种SiC Trench MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511351303.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种SiC Trench MOSFET器件是由请求不公布姓名;成骥;韦丽明设计研发完成，并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC Trench MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SiCTrenchMOSFET器件，所述SiCTrenchMOSFET器件将现有技术中栅槽向过渡区延伸的方案调整为栅槽与过渡槽分立的结构，且所述栅槽和源槽均位于有源区内，便将所述栅槽置于所述源槽的保护范围内。而且，所述过渡槽延伸到所述有源区内，且所述过渡槽的深度不小于所述源槽的深度，所述过渡槽侧壁和底部外侧设置有P型注入区。如此，所述过渡槽外侧的P型注入区深度便不会小于所述源槽外侧的P型注入区深度。相当于将有源区内源槽对栅槽的保护延伸到了过渡区内，降低了器件耐压时过渡区中的栅氧电场强度和漏电风险，解决了器件发生边缘击穿、漏电增加、耐压能力降低的问题。
本发明授权一种SiC Trench MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种SiC Trench MOSFET器件，包括有源区、过渡区和终端区，其中，所述终端区内设置有栅多晶总线，其特征在于，还包括： 栅槽和源槽，所述栅槽和源槽交替分布于所述有源区内，且所述栅槽和源槽内填充有多晶硅； 过渡槽，所述过渡槽位于所述过渡区内，一端延伸到所述有源区，另一端延伸到所述终端区，且所述过渡槽的深度不小于所述源槽的深度，所述过渡槽侧壁和底部外侧设置有P型注入区，所述过渡槽内填充有栅多晶保护条，所述栅多晶保护条两端分别与所述栅多晶总线和栅槽内填充的多晶硅电连接； 所述源槽底部和侧壁外侧设置有P型注入区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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