南通华隆微电子股份有限公司郑剑华获国家专利权
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龙图腾网获悉南通华隆微电子股份有限公司申请的专利一种半导体器件中二极管的老化检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120847585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511366373.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种半导体器件中二极管的老化检测方法及系统是由郑剑华;苏建国;张元元;孙彬;朱建设计研发完成，并于2025-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件中二极管的老化检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件中二极管的老化检测方法及系统，涉及二极管检测相关技术领域，方法包括：获取目标半导体器件的二极管接入电路，部署微自检器执行各二极管的状态自检与判定；若自检结果为异常，触发询问验证检定；包括：生成询问指令发送至微自检器，整合同步运况参数，多线程并行导入上位器；执行梯度一致性互验证，确定老化检测结果，若梯度不一致判定为个体老化失效，若梯度一致判定为集体漂移失效。解决了现有技术中存在的无法在冗余并联二极管电路中高效、准确地区分个体老化失效与集体性能漂移，导致老化检测可靠性与实时性不足的技术问题，达到了实现故障模式的精准区分、提升二极管老化检测的可靠性及实时性的技术效果。
本发明授权一种半导体器件中二极管的老化检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件中二极管的老化检测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取目标半导体器件的二极管接入电路，通过部署微自检器，执行各二极管的状态自检与判定，确定自检结果，其中，所述二极管接入电路为多个二极管冗余接入或并联接入； 若所述自检结果为异常，触发询问验证检定，其中，各微自检器相对独立进行自检与判定； 其中，询问验证检定步骤包括： 第一微自检器生成询问指令，向至少两个邻域二极管的微自检器发送，整合同步时间戳的同步运况参数，多线程并行导入上位器，其中，第一微自检器为自检异常的微自检器，对应于第一二极管； 上位器执行归一化条件下的梯度一致性互验证，确定第一二极管的老化检测结果，其中，若梯度不一致判定为个体老化失效，若梯度一致判定为集体漂移失效。
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