北京七星华创微电子有限责任公司高付宾获国家专利权
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龙图腾网获悉北京七星华创微电子有限责任公司申请的专利基于温度检测的芯片底部填充优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120834014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511333198.X，技术领域涉及：H01L21/54；该发明授权基于温度检测的芯片底部填充优化方法是由高付宾;吴雷;刘成君设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于温度检测的芯片底部填充优化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子元件封装技术领域，具体涉及基于温度检测的芯片底部填充优化方法。该方法实时采集基板底部的表面温度分布图，进而将其与导热率分布图融合，得到的热源‑散热通道强度图。根据热源点和散热点之间的热量传递关系确定材料流动失衡度，结合实时的材料流动速度即可得到实时时刻下材料的流动风险指标。通过相邻时刻下的温度变化，获得局部热冲击，绘制热应力损伤图，最终在工艺结束后可对热应力损伤图实时获取的过程中进行复盘分析，确定工艺优化方向。本发明通过实时的信息获取，结合设计文件中的先验信息，对填充工艺过程中的空洞风险进行有效预警，并且基于提取出的特征能够对工艺进行合理的改进和优化，提高工艺可靠性。
本发明授权基于温度检测的芯片底部填充优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于温度检测的芯片底部填充优化方法，其特征在于，所述方法包括： 根据设计文件获得封装区域底部的热导率分布图；在底部填充过程中，实时采集底部的表面温度分布图； 将所述表面温度分布图中各点的梯度与所述热导率分布图融合，获得热源‑散热通道强度图；所述热源‑散热通道强度图中包括热源点和散热点，将热源点和散热点互相匹配，根据最优匹配结果获得材料流动失衡度，并结合实时采集到的材料流动速度信息，获得流动风险指标； 根据所述流动风险指标实时判断工艺风险，通过所述最优匹配结果，调整对应位置点的温度； 对于底部的每个位置点，根据位置点在热导率分布图中的梯度以及相邻时刻下的温度变化，获得局部热冲击；根据局部热冲击以及位置点处材料的热膨胀系数，判断位置点损伤情况，获得实时时刻下每个位置点的热力损伤值并构成热应力损伤图；在填充结束后，根据热应力损伤图构建过程分析工艺优化方向。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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