成都芯正微电子科技有限公司闫相宏获国家专利权
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龙图腾网获悉成都芯正微电子科技有限公司申请的专利一种能够自关断的边沿加速电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120825152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511326657.1,技术领域涉及:H03K5/01;该发明授权一种能够自关断的边沿加速电路是由闫相宏;沈晓峰设计研发完成,并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种能够自关断的边沿加速电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种能够自关断的边沿加速电路,涉及电子技术领域,所述边沿加速电路包括基础电路、上升沿加速电路和下降沿加速电路,所述基础电路包括控制逻辑转换器和输出端OUT,所述控制逻辑转换器受使能信号开启或关闭,并接收输入信号并转换为内部信号DATA_n;所述上升沿加速电路接收信号DATA_n并处理得到信号PDRI,通过MOS管PM1发送信号PDRI到输出端OUT;所述下降沿加速电路接收信号DATA_n并处理得到信号NDRI,通过MOS管NM1发送信号NDRI到输出端OUT;本方案可以有效地解决在重负载电容情况下,信号边沿过缓的影响,提高信号的传输速度。
本发明授权一种能够自关断的边沿加速电路在权利要求书中公布了:1.一种能够自关断的边沿加速电路,其特征在于,所述边沿加速电路包括基础电路、上升沿加速电路和下降沿加速电路,所述基础电路包括控制逻辑转换器和输出端OUT,所述控制逻辑转换器受使能信号开启或关闭,并接收输入信号并转换为内部信号DATA_n; 具体地,所述上升沿加速电路通过MOS管PM2、NM2的公共栅极端和或非门NOR1的第二输入端接收信号DATA_n;所述MOS管PM2被配置为:源极接电源VCC,漏极接MOS管PM3的源极、并通过电阻R1接缓冲器BUFF1的输入端;所述MOS管PM3被配置为:栅极接反相器INV1和缓冲器BUFF2的公共端,所述缓冲器BUFF2的输出端接到反相器INV1的输入端;漏极接MOS管NM2的源极和缓冲器BUFF1的输入端;所述MOS管NM2的漏极接地;所述缓冲器BUFF1的输出端连接或非门NOR1的第一输入端;所述或非门NOR1的输出端连接与非门NAND1的第一输入端;所述与非门NAND1的输出端连接MOS管PM1的栅极;所述MOS管PM1的源极接电源VCC、漏极接所述边沿加速电路输出端OUT; 所述下降沿加速电路通过MOS管PM4、NM4的公共栅极端和与非门NAND2的第二输入端接收信号DATA_n;所述MOS管PM4被配置为:源极接电源VCC,漏极接MOS管NM3的源极;所述MOS管NM3被配置为:栅极接反相器INV1的输出端,漏极接MOS管NM4的源极并通过电阻R2接缓冲器BUFF3的输入端;所述MOS管NM4的漏极接地;所述缓冲器BUFF3的输出端连接与非门NAND2的第一输入端;所述与非门NAND2的输出端连接或非门NOR2的第二输入端;所述或非门NOR2的输出端连接MOS管NM1的栅极;所述MOS管NM1的漏极接地,源极接所述边沿加速电路输出端OUT和MOS管PM1的漏极; 所述边沿加速电路输出端OUT连接施密特触发器SCHIT1的输入端,所述接施密特触发器SCHIT1的输出端连接缓冲器BUFF2的输入端,所述缓冲器BUFF2的输出端连接与非门NAND1的第二输入端和或非门NOR2的第一输入端; 当所述控制逻辑转换器处于失能状态时,MOS管PM1、NM1始终处于关断状态,所述边沿加速电路保持关闭;当所述控制逻辑转换器处于使能状态时,所述边沿加速电路开启。
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