荣芯半导体(宁波)有限公司司伟获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体器件版图结构、半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120813055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511269808.4,技术领域涉及:H10D89/10;该发明授权半导体器件版图结构、半导体器件及其制作方法是由司伟;吴胜武;高博设计研发完成,并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件版图结构、半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体器件版图结构、半导体器件及其制作方法,所述版图结构包括:有源区版图层;浅沟槽隔离结构层;多个栅极图形区,栅极图形区在浅沟槽隔离结构层上与相邻的栅极图形区相连接构成环形;多个阻挡层图形区,阻挡层图形区在浅沟槽隔离结构层上与相邻的阻挡层图形区相连接构成环形;呈环形的栅极图形区包围呈环形的阻挡层图形区,且具有部分重叠。本发明将栅极与阻挡层均设置为环形,呈环形的栅极包围呈环形的阻挡层,且在第一方向与第二方向上所述阻挡层均覆盖部分所述栅极,从而避免了阻挡层与栅极之间产生间隙,消除了刻蚀液沿着空隙流入的风险,由此避免孔洞的产生,降低产品失效的风险。
本发明授权半导体器件版图结构、半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件版图结构,其特征在于,包括: 有源区版图层; 包围所述有源区版图层的浅沟槽隔离结构层; 位于所述有源区版图层上的沿第一方向排布的多个栅极组版图层,每个所述栅极组版图层包括沿第一方向排布且沿第二方向延伸的两个栅极图形区,所述第一方向与所述第二方向相交;每个所述栅极图形区均延伸至所述浅沟槽隔离结构层上,且在所述浅沟槽隔离结构层上与相邻的栅极组版图层中的栅极图形区相连接构成环形; 位于所述有源区版图层上的沿第一方向排布的多个阻挡组版图层,每个所述阻挡组版图层包括沿第一方向排布且沿第二方向延伸的两个阻挡层图形区,栅极组版图层中的两个所述栅极图形区位于所述阻挡组版图层中的两个阻挡层图形区之间;每个所述阻挡层图形区均延伸至所述浅沟槽隔离结构层上,且在所述浅沟槽隔离结构层上与相邻的阻挡组版图层中的阻挡层图形区相连接构成环形; 呈环形的栅极图形区包围呈环形的阻挡层图形区,且在所述第一方向与所述第二方向上呈环形的阻挡层图形区与呈环形的栅极图形区均具有部分重叠; 所述版图结构还包括沿第一方向排布的多个场板组版图层,每个所述场板组版图层包括沿第一方向排布且沿第二方向延伸的两个场板图形区;所述场板图形区位于所述阻挡层图形区上且靠近所述栅极图形区。
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