杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511308942.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法，包括若干相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层和P+层，相邻两个所述P阱层之间且位于栅极的正下方设有上氧化埋层，所述上氧化埋层由若干个互不接触的氧化颗粒组成。本发明通过上下双层离散氧化埋层结构，即上氧化埋层的颗粒群与下氧化埋层的矩形颗粒，这样在阻断横向电场峰值的同时优化垂直电场分布，有效避免连续介质层带来的寄生电容问题，显著提升器件的击穿电压性能并降低开关过程中的能量损耗。
本发明授权一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件，包括若干相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2和栅极3，所述半导体外延层包括N衬底层4、N漂移层5、N阱层6、P阱层7和P+层8，其特征在于：相邻两个所述P阱层7之间且位于栅极3的正下方设有上氧化埋层9，所述上氧化埋层9由若干个互不接触的氧化颗粒组成； 所述N衬底层4的内部且位于栅极3的正下方设有下氧化埋层10，所述下氧化埋层10由三个互不接触的氧化矩形颗粒组成，其中氧化矩形颗粒的底端与漏极1直接接触； 所述N衬底层4的内部且位于相邻两个氧化矩形颗粒之间通过离子注入形成有掺杂P‑层13，该掺杂P‑层13截面轮廓的高度低于氧化矩形颗粒截面轮廓的高度。
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