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龙图腾网获悉重庆联晶通半导体科技有限公司申请的专利一种GaN射频器件及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120812983B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511284948.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种GaN射频器件及其测试方法是由蔡明达设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN射频器件及其测试方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种GaN射频器件及其测试方法。该GaN射频器件结构包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓主体层、势垒层及绝缘层。顶部绝缘层表面设有两类开口形状不同的通孔，通过在不同目标区域填充导电材料形成欧姆接触，以测试不同电极配置下的器件性能。此设计允许研发人员在同一GaN射频器件上灵活尝试多种电极尺寸和位置组合，无需制备多个不同尺寸的GaN射频器件，显著降低了材料消耗和人力成本，简化了工艺流程，缩短了研发周期，提高了GaN射频器件的研发效率和产品更新换代速度。

本发明授权一种GaN射频器件及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN射频器件测试方法，其特征在于，包括以下步骤： S11，提供一GaN射频器件，所述GaN射频器件，包括： 衬底以及依次生长于所述衬底上的氮化镓缓冲层、氮化镓主体层和势垒层，所述氮化镓主体层与所述势垒层的交界处由于压电极化和自发极化形成沟道层； 所述势垒层沿第一方向依次被划分为第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域上层叠设置有电介质层，所述电介质层和所述第一区域、所述第三区域上覆盖有绝缘层； 所述绝缘层的表面排布设置有第一类通孔和第二类通孔； 所述第一类通孔贯穿所述绝缘层，露出所述电介质层； 所述第二类通孔贯穿所述绝缘层，露出所述势垒层； 所述第一区域备用于接收源极信号，所述第二区域备用于接收栅极信号，所述第三区域备用于接收漏极信号； 所述第一类通孔排布于所述第二区域，所述第二类通孔排布于所述第一区域和所述第三区域； 所述势垒层包括依次层叠生长的至少两势垒子层，所述第二类通孔包括至少两种子通孔，所述至少两种子通孔在所述绝缘层表面上的开口形状不同；所述势垒子层与所述子通孔的种类的数量相等，每种所述子通孔分别露出对应势垒子层； 沿着第一方向，第二区域的第一类通孔为多个、第一区域上的第二类通孔为多个以及第三区域上的的第二类通孔为多个； S12，在所述第二区域表面的第一目标区域内用导电材料填充所述第一类通孔，并通过第一信号垫向所述第一目标区域施加栅极测试信号； S13，在所述第一区域的第二目标区域内用导电材料填充所述第二类通孔，并通过第二信号垫向所述第二目标区域施加源极测试信号； S14，在所述第三区域表面的第三目标区域内用导电材料填充所述第二类通孔，并通过第三信号垫向所述第三目标区域施加漏极测试信号； S15，获取所述GaN射频器件的性能测试参数； S16，通过预设溶液对所述第一类通孔和所述第二类通孔中的导电材料进行清洗，从而恢复 HEMT 器件以备于下一目标方案的测试，从而对HEMT 的源极、漏极、栅极的尺寸和位置进行设计以确定最优的技术方案。

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