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龙图腾网获悉上海中科飞测半导体科技有限公司申请的专利一种晶圆检测装置及晶圆检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120801356B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511257906.6，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权一种晶圆检测装置及晶圆检测方法是由张鹏斌;魏新和;董坤玲;陈鲁设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆检测装置及晶圆检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆检测装置及晶圆检测方法，该晶圆检测装置包括：载台，用于装载晶圆并进行线性移动，晶圆具有基底和覆盖基底的膜层；第一基底成像系统，包括第一光源模块和第一探测模块，第一光源模块用于发射照明光至晶圆表面，第一探测模块用于采集晶圆的基底图像；第一膜层成像系统，包括第二光源模块和第二探测模块，第二光源模块用于发射照明光至晶圆表面，第二探测模块用于采集晶圆的膜层图像；分析模块，分别与第一基底成像系统、第一膜层成像系统电性连接，用于分析基底图像得到晶圆的基底缺陷信息、以及分析膜层图像得到晶圆的膜层缺陷信息。本发明能够同时对晶圆的基底和表面膜层进行缺陷检测，提高了晶圆检测效率。

本发明授权一种晶圆检测装置及晶圆检测方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆检测装置，其特征在于，其包括： 载台，用于承载晶圆，所述晶圆具有基底和覆盖所述基底的膜层； 第一基底成像系统，包括第一光源模块和第一探测模块，所述第一光源模块用于发射照明光至所述晶圆表面，所述第一探测模块用于采集所述晶圆的基底图像； 第一膜层成像系统，包括第二光源模块和第二探测模块，所述第二光源模块用于发射照明光至所述晶圆表面，所述第二探测模块用于采集所述晶圆的膜层图像； 分析模块，分别与所述第一基底成像系统、所述第一膜层成像系统电性连接，用于分析所述基底图像得到所述晶圆的基底缺陷信息、以及分析所述膜层图像得到所述晶圆的膜层缺陷信息； 所述第一光源模块包括第一明场照射单元和第一暗场照射单元，所述第一明场照射单元发射的第一照明光以第一入射角度照射至所述晶圆表面，所述第一暗场照射单元发射的第二照明光以第二入射角度照射至所述晶圆表面，所述第一探测模块用于获取晶圆基底的明场反射图像或暗场散射图像； 所述第二光源模块包括第二暗场照射单元，所述第二暗场照射单元发射的第三照明光以第三入射角度照射至所述晶圆表面，所述第二探测模块用于获取晶圆表面膜层的膜层散射图像； 第三入射角度小于第一入射角角度，第二入射角度小于第一入射角角度。

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