荣芯半导体(宁波)有限公司刘成杰获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120784211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511269810.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制作方法是由刘成杰;王叶东;郭守伟设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底包括MOS器件区与熔丝区，MOS器件区内形成有MOS器件；在MOS器件区与熔丝区内形成阻挡层，阻挡层覆盖MOS器件与衬底；在MOS器件区的阻挡层上形成与MOS器件相连通的金属互连结构，同时在熔丝区的阻挡层上形成第一层间介质层、位于第一层间介质层上的金属熔丝以及覆盖金属熔丝与第一层间介质层的第二层间介质层；刻蚀第二层间介质层与第一层间介质层形成暴露部分阻挡层的沟槽，金属熔丝位于沟槽内，沟槽暴露出金属熔丝的上表面及侧壁。本发明以所述阻挡层作为刻蚀停止层，以避免对衬底造成损伤，从而满足电路可靠性。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底包括MOS器件区与熔丝区，所述MOS器件区内形成有MOS器件； 在所述MOS器件区与所述熔丝区内形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述MOS器件与所述衬底； 在所述MOS器件区的所述阻挡层上形成与所述MOS器件相连通的金属互连结构，同时在所述熔丝区的所述阻挡层上形成第一层间介质层、位于所述第一层间介质层上的金属熔丝以及覆盖所述金属熔丝与所述第一层间介质层的第二层间介质层；以及刻蚀所述第二层间介质层与所述第一层间介质层形成暴露部分所述阻挡层的沟槽，所述金属熔丝位于所述沟槽内，所述沟槽暴露出所述金属熔丝的上表面及侧壁； 在形成所述阻挡层之前，还包括：在所述MOS器件区与所述熔丝区内形成富硅氧化物层，所述富硅氧化物层覆盖所述MOS器件与所述衬底；所述阻挡层覆盖所述富硅氧化物层。
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