深圳中科飞测科技股份有限公司吕肃获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳中科飞测科技股份有限公司申请的专利一种双向离轴对位偏差量测方法、系统及离轴标记获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120777998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511212699.2，技术领域涉及：G01B11/00；该发明授权一种双向离轴对位偏差量测方法、系统及离轴标记是由吕肃;姚本溪;陈鲁设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双向离轴对位偏差量测方法、系统及离轴标记在说明书摘要公布了：本申请公开一种双向离轴对位偏差量测方法、系统及离轴标记。通过调整成像装置的光轴与待测样品在X轴或Y轴的相对位移，由成像装置拍摄得到目标标记图像、第一参考标记图像和第二参考标记图像；目标标记位于待测样品的目标对位单元。基于目标标记图像和第一参考标记图像，计算目标对位单元在待测样品的X轴对位偏差；基于目标标记图像和第二参考标记图像，计算目标对位单元在待测样品的Y轴对位偏差。本申请技术方案不需要改造硬件平台，降低离轴对位偏差量测成本，具有更高的量测精度。并且，该技术方案的实施，不影响硬件平台实现常规的同轴对位偏差量测，具有更强的场景适用性。
本发明授权一种双向离轴对位偏差量测方法、系统及离轴标记在权利要求书中公布了：1.一种双向离轴对位偏差量测方法，其特征在于，包括： 通过调整成像装置的光轴与待测样品在X轴或Y轴的相对位移，由所述成像装置拍摄得到目标标记图像、第一参考标记图像和第二参考标记图像；所述目标标记图像中包括目标标记，所述第一参考标记图像中包括第一参考标记，所述第二参考标记图像中包括第二参考标记；其中，所述目标标记位于所述待测样品的目标对位单元；所述第一参考标记与所述目标标记的Y轴距离大于所述第二参考标记与所述目标标记的Y轴距离，所述第二参考标记与所述目标标记的X轴距离大于所述第一参考标记与所述目标标记的X轴距离；所述目标对位单元为第一晶圆或已切割的芯片，所述目标对位单元的下层材料为第二晶圆； 基于所述目标标记图像和所述第一参考标记图像，计算所述目标对位单元在所述待测样品的X轴对位偏差；基于所述目标标记图像和所述第二参考标记图像，计算所述目标对位单元在所述待测样品的Y轴对位偏差。
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