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龙图腾网获悉杭州镓仁半导体有限公司申请的专利一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120738772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511240437.7，技术领域涉及：C30B33/10；该发明授权一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法是由夏宁;陆昌程;徐如是设计研发完成，并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法，属于半导体技术领域。本发明的氧化镓氢化物气相外延片的加工方法包括以下步骤：提供氧化镓氢化物气相外延片；对所述氧化镓氢化物气相外延片依次进行背面减薄、背面腐蚀、正面减薄和正面抛光；所述背面减薄使用酸性腐蚀液，所述背面减薄的温度为40~70℃。本发明采用四步加工流程，制备出满足器件需求的氧化镓单晶外延片，是采用背面腐蚀消除前道制程背面减薄中对晶片产生的机械应力，结合氧化镓材料本身不耐酸碱的特性，对晶片表面进行背面腐蚀，去除表面的应力，避免在背面减薄后，由于晶片双面应力不对称从而导致的晶片弯曲甚至破裂，从而保证得到表面光滑无损且外延层厚度均匀的晶片。

本发明授权一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供氧化镓氢化物气相外延片； 对所述氧化镓氢化物气相外延片依次进行背面减薄、背面腐蚀、正面减薄和正面抛光； 所述背面腐蚀使用酸性腐蚀液，所述背面腐蚀的温度为40~70℃；所述酸性腐蚀液为磷酸溶液； 所述背面减薄使用的背面研磨液包括：水、聚乙二醇、非离子乳化剂、氧化铝粉和多晶金刚石粉，所述背面研磨液中聚乙二醇的质量百分数为5~15%，非离子乳化剂的质量百分数为0.5~1%，所述背面研磨液中粉体的固含量为0.3~1%，所述粉体包括氧化铝粉和多晶金刚石粉，所述氧化铝粉和多晶金刚石粉的质量比为1:1~1:3，所述氧化铝粉的粒径为0.2~1μm，所述多晶金刚石粉的粒径为0.2~1μm； 所述背面减薄的去除厚度为10~20μm，所述背面减薄后单片厚度差小于1μm； 所述正面抛光使用的抛光液包括以下体积百分数的组分：二氧化硅胶体10~30%，聚乙二醇3~10%，pH缓释剂0.5~5%和余量的水。

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