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龙图腾网获悉成都能海昇芯科技有限责任公司申请的专利一种栅极驱动器以及功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120729259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511203831.3，技术领域涉及：H03K17/042；该发明授权一种栅极驱动器以及功率器件是由刘毅成;张海杨;张仁辉;叶约汉设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅极驱动器以及功率器件在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体技术领域，公开了一种栅极驱动器以及功率器件，所述栅极驱动器连接至功率管，包括比较器、下拉开关管、第一路径以及第二路径；所述下拉开关管的源极接地，漏极连接至所述功率管的栅极；所述第一路径设置有反相器和MOS管，且适于响应所述高电平信号，所述第一路径通过所述反相器和所述MOS管向所述下拉开关管的栅极提供充电电流；所述第二路径设置有MOS管和二极管，所述第二路径将所述功率管的栅极上储存的部分电荷直接转移至所述下拉开关管的栅极。由此，栅极驱动器通过控制下拉开关管的栅极，并基于第一路径以及第二路径实现电荷转移，从而在不增加静态功耗的前提下，实现了栅极电压的快速下拉。

本发明授权一种栅极驱动器以及功率器件在权利要求书中公布了：1.一种栅极驱动器，连接至功率管，其特征在于，包括： 比较器，所述比较器用于响应于关断信号并输出高电平信号； 下拉开关管，所述下拉开关管的源极接地，漏极连接至所述功率管的栅极； 第一路径，所述第一路径设置有反相器和MOS管，所述反相器包括第一反相器以及MOS管M2和MOS管M3组成的第二反相器，并且所述MOS管M2和MOS管M3至少一方具有所述第一反相器的输出端，并适于接收所述第一反相器的输出信号后对下拉管的栅极进行充放电；所述第一路径适于响应所述高电平信号，所述第一路径通过所述反相器和所述MOS管向所述下拉开关管的栅极提供充电电流； 以及第二路径，所述第二路径设置有MOS管M1和二极管，所述MOS管M1的栅极直接接收所述高电平信号，源极连接至所述下拉开关管的栅极；所述二极管的阳极连接至所述功率管的栅极，阴极连接至所述MOS管M1的漏极，所述第二路径将所述功率管的栅极上储存的部分电荷直接转移至所述下拉开关管的栅极； 其中，所述第一路径与第二路基协同形成正反馈，第一路径和第二路径同时向所述下拉开关管的栅极电容注入电荷， 使所述下拉开关管的栅极电压上升，当所述功率管的栅极电压高于所述下拉开关管的栅源电压与所述二极管正向压降之和时，所述二极管保持正向偏置，并且所述第二路径继续将所述功率管栅极的电荷转移至所述下拉开关管的栅极。

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