买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种超低相位噪声低功耗共模电流循环谐波类四核压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120729174B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511134545.6，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种超低相位噪声低功耗共模电流循环谐波类四核压控振荡器是由黄同德;关军楠;曹瀚璋;高司辰;吴文设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低相位噪声低功耗共模电流循环谐波类四核压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开一种超低相位噪声低功耗共模电流循环谐波类四核压控振荡器，包括PMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、栅极电容CG1、栅极电容CG2、栅极电容CG3、栅极电容CG4、漏极电容CD1、漏极电容CD2、漏极电容CD3、漏极电容CD4、去耦电容Cdecap，以及，电感LD11、电感LD12、电感LD21、电感LD22、电感LD31、电感LD32、电感LD41、电感LD42组成的变压器T1，电感LG11、电感LG12、电感LG21、电感LG22、电感LG31、电感LG32、电感LG41、电感LG42组成的变压器T2，电感LS11、电感LS12组成的变压器T3，电感LS21、电感LS22组成的变压器T4，电感LS31、电感LS32组成的变压器T5，电感LS41、电感LS42组成的变压器T6。本发明降低了压控振荡器产生的相位噪声。

本发明授权一种超低相位噪声低功耗共模电流循环谐波类四核压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种超低相位噪声低功耗共模电流循环谐波类四核压控振荡器，其特征在于，包括PMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、栅极电容CG1、栅极电容CG2、栅极电容CG3、栅极电容CG4、漏极电容CD1、漏极电容CD2、漏极电容CD3、漏极电容CD4、去耦电容Cdecap，以及，电感LD11、电感LD12、电感LD21、电感LD22、电感LD31、电感LD32、电感LD41、电感LD42组成的变压器T1，电感LG11、电感LG12、电感LG21、电感LG22、电感LG31、电感LG32、电感LG41、电感LG42组成的变压器T2，电感LS11、电感LS12组成的变压器T3，电感LS21、电感LS22组成的变压器T4，电感LS31、电感LS32组成的变压器T5，电感LS41、电感LS42组成的变压器T6，其中： PMOS管M1源极与NMOS管M2源极连接到电感LS11和电感LS12一端，电感LS11和电感LS12另一端分别连接到电源VDD电位和0电位VSS；PMOS管M1漏极与电感LD11的正极、漏极电容CD1的一端相连，PMOS管M1的栅极与电感LG22的负极、栅极电容CG1的一端相连；NMOS管M2漏极与电感LD22的负极、漏极电容CD1的另一端相连，NMOS管M2的栅极与栅极电容CG1另一端、电感LG11的正极相连，此外，电感LD11的负极与电感LD12的负极相连，电感LG22的正极与电感LG21的负极相连； PMOS管M3源极与NMOS管M4源极相连接到电感LS21和电感LS22一端，电感LS21和电感LS22另一端分别连接到电源VDD电位和0电位VSS；PMOS管M3漏极与电感LD21的负极、漏极电容CD2的一端相连，PMOS管M3的栅极与电感LG12的负极、栅极电容CG2的一端相连；NMOS管M4漏极与电感LD12的正极、漏极电容CD2的另一端相连，NMOS管M4的栅极与栅极电容CG2另一端、电感LG21的正极相连，此外，电感LD21的正极与电感LD22的正极相连，电感LG12的正极与电感LG11的负极相连； PMOS管M5源极与NMOS管M6源极相连接到电感LS31和电感LS32一端，电感LS31和电感LS32另一端分别连接到电源VDD电位和0电位VSS；PMOS管M5漏极与电感LD42的负极、漏极电容CD3的一端相连，PMOS管M5的栅极与电感LG31的正极、栅极电容CG3的一端相连；NMOS管M6漏极与电感LD31的正极、漏极电容CD3的另一端相连，NMOS管M6的栅极与栅极电容CG3另一端、电感LG42的负极相连，此外，电感LD42的正极与电感LD41的负极相连，电感LG31的负极与电感LG32的正极相连； PMOS管M7源极与NMOS管M8源极相连接到电感LS41和电感LS42一端，电感LS41和电感LS42另一端分别连接到电源VDD电位和0电位VSS；PMOS管M7漏极与电感LD32的负极、漏极电容CD4的一端相连，PMOS管M7的栅极与电感LG41的正极、栅极电容CG4的一端相连；NMOS管M8漏极与电感LD41的正极、漏极电容CD4的另一端相连，NMOS管M8的栅极与栅极电容CG4另一端、电感LG32的负极相连，此外，电感LD32的正极与电感LD31的负极相连，电感LG41的负极与电感LG42的正极相连； 四核压控振荡器VDD电位和VSS电位间，使用去耦电容Cdecap连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京理工大学，其通讯地址为：210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。