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龙图腾网获悉武汉拓材科技有限公司申请的专利一种高纯钴的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120700547B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511212785.3，技术领域涉及：C25C1/08；该发明授权一种高纯钴的制备方法是由卢鹏荐;曾小龙;李鹏武;郑利波;袁珊珊设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯钴的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高纯钴的制备方法，涉及高纯金属提纯技术领域，其技术要点包括以下步骤：预处理试剂提纯：将分析纯双氧水通过含有机碳的过滤器，以8‑10Lh速率过滤后，在54℃常压下精馏回流5h，获得电子级双氧水；将分析纯磷酸钠粉碎后，加入纯水加热至70‑80℃溶解，过滤后加入5L优级纯乙酸，纯水洗涤获得磷酸钠沉淀物，加入50L纯水重新溶解备用；通过前端化学深度除杂与后端离子交换、电沉积工艺的协同优化，精准满足高端领域对杂质含量的严苛要求；通过0.3‑0.5L100kg的双氧水磷酸钠最佳用量窗口及4‑5V电解电压的平衡控制。

本发明授权一种高纯钴的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯钴的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1预处理试剂提纯： 将分析纯双氧水通过含有机碳的过滤器，以8‑10Lh速率过滤后，在54℃常压下精馏回流5h，获得电子级双氧水； 将分析纯磷酸钠粉碎后，加入纯水加热至70‑80℃溶解，过滤后加入5L纯乙酸，纯水洗涤获得磷酸钠沉淀物，加入50L纯水重新溶解备用； 步骤2化学深度除杂： 将氯化钴晶体溶于50‑60℃纯水，过滤后加入0.3‑0.5L100kg氯化钴的步骤1所得电子级双氧水，搅拌10min； 加入0.3‑0.5L100kg氯化钴的步骤1所得磷酸钠溶液，搅拌10min，静置冷却1h后过滤； 步骤3离子交换除铜： 将步骤2滤液以3‑5Lh流速通过装填除铜螯合树脂的离子交换柱； 步骤4电沉积制备高纯钴： 向步骤3所得溶液补充双氧水和磷酸钠各50ml，稀释后转移至电解槽； 以钛板为阴极、钌网为阳极，在4‑5V槽电压下电解沉积，获得高纯钴； 步骤1中所述磷酸钠为磷酸三钠、偏磷酸钠、三聚磷酸钠或焦磷酸钠中的至少一种； 步骤2中双氧水氧化Fe²⁺至Fe³⁺，磷酸钠与Fe³⁺、Mg²⁺、Cu²⁺、Ag⁺、Pb²⁺、Cd²⁺、Hg²⁺、Cr³⁺中的至少一种生成沉淀物或络合物。

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