武汉市三选科技有限公司伍得获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉市三选科技有限公司申请的专利一种芯片围坝胶的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120665544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511187231.2，技术领域涉及：C09J163/02；该发明授权一种芯片围坝胶的制备方法及其应用是由伍得;王圣权;廖述杭;王燕玲设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片围坝胶的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片围坝胶的制备方法及其应用，该制备方法包括：取芯片围坝胶的各原料并进行离心搅拌；芯片围坝胶的原料包括：无机填料70‑74wt.%，环氧树脂13‑16wt.%，固化剂12‑15wt.%，固态改性咪唑类潜伏性促进剂0.1‑0.4wt.%，颜料0‑0.2wt.%；其中，环氧树脂包括液态双酚A环氧树脂和或液态脂环族环氧树脂；离心搅拌的工艺参数为：自转1500rmin‑3000rmin，公转1000rmin‑1800rmin，搅拌时间100s‑200s。本发明所制备的芯片围坝胶，其室温粘度为270‑430Pa.s，触变值可达4.8‑6.6，粘度适宜，触变性能显著提升，可应用于芯片的围坝填充工艺中。
本发明授权一种芯片围坝胶的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种芯片围坝胶的制备方法，其特征是，包括： 取芯片围坝胶的各原料并进行离心搅拌； 所述芯片围坝胶的原料包括：无机填料70‑74wt.%，环氧树脂13‑16wt.%，固化剂12‑15wt.%，固态改性咪唑类潜伏性促进剂0.1‑0.4wt.%，颜料0‑0.2wt.%；其中，环氧树脂包括液态双酚A环氧树脂； 所述离心搅拌的工艺参数为：自转1500rmin‑3000 rmin，公转1000rmin‑1800 rmin，搅拌时间100s‑200s； 所述无机填料选择粒径25um‑75um的二氧化硅； 所述固化剂选择甲基纳迪克酸酐； 所述固态改性咪唑类潜伏性促进剂选择HMA‑2300； 所述液态双酚A环氧树脂选择DER336。
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