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龙图腾网获悉青岛科芯半导体有限公司申请的专利一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510677571.7，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构是由李向坤;薛亮;葛莹设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构在说明书摘要公布了：本发明涉及IGBT芯片技术领域，且公开了一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底体，衬底体的表面开设有多组有源区沟槽和虚拟区沟槽，多组虚拟区沟槽分别位于相邻的有源区沟槽之间，衬底体靠近有源区沟槽的附近设置有冗余区沟槽，本发明中，借助连接组件，能够迅速将电流传输路径切换至冗余区多晶硅，冗余区多晶硅就如同备用的导电通道一般，及时接替失效的有源区多晶硅，继续维持芯片的正常工作，这种设计极大地增强了芯片的容错能力，有效降低了因个别有源区多晶硅失效而导致整个芯片无法正常运行的风险，从而显著提升了芯片的可靠性和稳定性，为其在各种复杂工作环境下的高效运行提供了有力保障。

本发明授权一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底体1，其特征在于：所述衬底体1的表面开设有多组有源区沟槽2和虚拟区沟槽4，所述衬底体1靠近有源区沟槽2的附近设置有冗余区沟槽3，所述有源区沟槽2、冗余区沟槽3和虚拟区沟槽4内分别设置有有源区多晶硅5、冗余区多晶硅6和虚拟区多晶硅7，所述有源区沟槽2、冗余区沟槽3和虚拟区沟槽4内壁均设置有复合介电层8，所述复合介电层8上设置有锚固部25，并通过锚固部25分别与有源区沟槽2、冗余区沟槽3和虚拟区沟槽4连接，所述衬底体1的表面固定连接有接触片一11和接触片二12，接触片一11的表面开设有供接触片二12穿过的凹槽，多组所述有源区多晶硅5和冗余区多晶硅6分别与接触片一11和接触片二12接触，所述衬底体1的表面设置有与虚拟区多晶硅7接触的多晶硅桥9，多晶硅桥9上设置有接触窗口10，所述衬底体1、接触片一11和接触片二12上设置有绝缘层16，绝缘层16上依次设置有栅极多晶硅17、介质层18和发射极金属层19，所述接触片一11和接触片二12与栅极多晶硅17之间设置有连接组件。

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