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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种压控振荡器、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120546603B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510818215.2，技术领域涉及：H03B5/32；该发明授权一种压控振荡器、芯片及电子设备是由薛泉;赵韫睿;秦培;车文荃设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压控振荡器、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种压控振荡器、振荡器电路、芯片和电子设备，涉及通信或雷达探测技术领域，其能够提升压控振荡器的线性度。该压控振荡器包含压控振荡器谐振腔、偶次谐波发生器电路、自混频三倍频器电路。压控振荡器谐振腔包括变压二极管阵列与一级模式切换电容。偶次谐波发生器电路包括一组交叉耦合管，其一端电连接于压控振荡器的差分两端，其同时作为偶次谐波生成器，电连接于自混频三倍频器电路。自混频三倍频器电路包括差分单元与谐振腔，其一端电连接于偶次谐波发生器电路。低频压控振荡器与自混频三倍频器电路实现电流复用，偶次谐波发生器电路作为振荡器的负阻以外还作为自混频三倍频器的偶次谐波发生器，提升毫米波频率源的线性度。

本发明授权一种压控振荡器、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种高线性度压控振荡器，其特征在于，包括： 压控谐振腔、偶次谐波发生器以及混频器； 所述压控谐振腔与所述偶次谐波发生器连接；所述偶次谐波发生器与所述混频器连接； 所述压控谐振腔用于产生第一信号，所述第一信号经过所述偶次谐波发生器与所述混频器后，生成具有目标频率的第二信号；其中所述第一信号的频率小于第二信号； 所述压控谐振腔包括宽带宽谐振电路，低带宽谐振电路、感性电路以及开关电容模块； 所述宽带宽谐振电路包括第一变容二极管阵列以及第一电压偏置模块；所述低带宽谐振电路包括第二变容二极管阵列以及第二电压偏置模块；所述感性电路结合所述宽带宽谐振电路与所述开关电容模块谐振生成第一信号；所述感性电路结合所述低带宽谐振电路与所述开关电容模块谐振生成第二信号；所述开关电容模块用于调节所述第一信号或者所述第二信号； 所述偶次谐波发生器包括第五电阻、第六电阻、第一场效应管、第二场效应管、第三电容以及第四电容，第一外接电位；所述偶次谐波发生器作为振荡器的负阻与自混频模块；所述第三电容的一端以及所述第五电阻的一端与所述第一场效应管的栅极连接；所述第四电容的一端以及所述第六电阻的一端与所述第二场效应管的栅极连接；所述第五电阻的另一端以及所述第六电阻的另一端与所述第一外接电位连接；所述第三电容的另一端与所述第二场效应管的漏极连接；所述第四电容的另一端与所述第一场效应管的漏极连接； 所述混频器包括第三场效应管、第四场效应管、第二外接电位、第七电阻、第八电阻以及第三变容二极管阵列； 所述第七电阻的一端以及所述第八电阻的一端与所述第二外接电位连接；所述第七电阻的另一端与所述第三场效应管的栅极连接；所述第八电阻的另一端与所述第四场效应管的栅极连接；所述第三场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接；所述第三场效应管的漏极以及所述第三变容二极管阵列的一端接入高频输出端；所述第四场效应管的漏极以及所述第三变容二极管阵列的另一端接入低频输出端。

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