中国科学院上海微系统与信息技术研究所李伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种氧化硅填充的GST相变浅沟槽像素级电控超表面结构及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120504291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510990562.3，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种氧化硅填充的GST相变浅沟槽像素级电控超表面结构及其加工方法是由李伟;刘洋;黄海阳;李娜设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化硅填充的GST相变浅沟槽像素级电控超表面结构及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氧化硅填充的GST相变浅沟槽像素级电控超表面结构及其加工方法，所述超表面结构自下而上包括硅衬底、氧化硅层和顶层ITO电极；所述氧化硅层内设有浅沟槽，所述浅沟槽内自下而上沉积有底层ITO电极和GST纳米柱；所述GST纳米柱通过GST相变材料制得，并与底层ITO电极和顶层ITO电极连接；所述底层ITO电极与顶层ITO电极呈正交排布。本发明方法优化了高温沉积，等离子体刻蚀工艺中导致的相变结构损伤问题，同时优化了工艺复杂度及工艺稳定性，降低了超表面加工成本。
本发明授权一种氧化硅填充的GST相变浅沟槽像素级电控超表面结构及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化硅填充的GST相变浅沟槽像素级电控超表面结构，其特征在于，所述超表面结构自下而上包括硅衬底、氧化硅层和顶层ITO电极；所述氧化硅层内设有浅沟槽，所述浅沟槽通过对套刻曝光形成的底层圆孔阵列和顶层圆孔阵列进行刻蚀形成；所述浅沟槽内自下而上沉积有底层ITO电极和GST纳米柱；所述GST纳米柱通过GST相变材料制得，并与底层ITO电极和顶层ITO电极连接；所述底层ITO电极与顶层ITO电极呈正交排布；所述超表面结构由硅衬底上的周期Si‑ITO‑GST纳米柱‑ITO阵列构成，通过氧化硅填充阵列间隙实现无隔离槽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励