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龙图腾网获悉无锡昌德微电子股份有限公司申请的专利一种大功率光伏TMBS芯片封装用检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510425079.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种大功率光伏TMBS芯片封装用检测系统是由黄昌民;赵秋森;黄富强设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大功率光伏TMBS芯片封装用检测系统在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏芯片封装技术领域，具体为一种大功率光伏TMBS芯片封装用检测系统，本发明中，采用长短期记忆网络分析焊点组内的时长、功率变化和散热效率，将参数与缺陷发生的关联度结合，有效预测缺陷的发生并识别潜在高发路径，在时序数据的处理上具备优势，处理复杂的非线性关系，确保缺陷趋势的精确识别，通过图像识别技术，分析焊点的轮廓、形变和接触区域的像素特征，计算形变偏差、轮廓闭合度和像素丢失率，筛选出缺陷区域，提高了缺陷筛选的精准度，有效区分不同类型的缺陷，利用生成对抗网络对裂点区域进行追踪，计算裂点路径的偏移量与扩散趋势，有效地定位裂点的发生和传播，提升了光伏芯片的封装质量与长期稳定性。

本发明授权一种大功率光伏TMBS芯片封装用检测系统在权利要求书中公布了：1.一种大功率光伏TMBS芯片封装用检测系统，其特征在于，所述系统包括： 热场变动监控模块：通过传感器得到局部温度变化数据，提取焊点热值变化数据，计算每个焊点与相邻焊点的温度差值，将温度差值超过设定阈值的焊点标记为关键焊点，计算并比较不同焊点之间的温度传导速率，识别热量扩散的路径，确定温差大于设定值的焊点区域，生成温差传导路径数据，基于所述温差传导路径数据，对温差大于设定值的焊点进行集中分析，结合温度变化速率与传导路径的实际情况，识别热量分布不均的区域，计算各区域的热场不均匀性，生成热场不均衡区域分布图； 缺陷趋势研判模块：基于所述热场不均衡区域分布图，收集焊点组内的工作时长、功率变化和散热效率数据，采用长短期记忆网络进行建模，捕捉各参数在时间维度上的变化趋势，并分析各参数的历史变化与缺陷发生之间的关系，计算每个参数与缺陷发生概率之间的关联度，按关联度排序，筛选出关键参数，生成参数缺陷关联度数据，基于所述参数缺陷关联度数据，识别并提取缺陷发生的异常模式，通过分析各项参数与缺陷间的关系，标识出导致缺陷的模式，生成异常模式识别结果，基于所述异常模式识别结果，选择有缺陷发生概率的路径节点，分析节点在焊接过程中受到的影响，计算缺陷发生的频率与强度，生成缺陷高发路径节点序列集； 图像识别筛分模块：基于所述缺陷高发路径节点序列集，提取图像数据，分析焊点轮廓、形变和接触区域的像素特征，计算形变偏差、轮廓闭合度和像素丢失率，筛选缺陷区域，生成多级筛选缺陷图谱集； 裂点区域追踪模块：基于所述多级筛选缺陷图谱集，跟踪裂点区域的偏移量和扩散趋势，采用生成对抗网络生成的不同工艺条件下的缺陷图像，计算裂点路径的闭合情况，选择路径闭合的区域，定位裂点位置，生成裂点追踪坐标索引集合； 工艺参数调整模块：基于所述裂点追踪坐标索引集合，查询焊点的工艺参数配置，生成焊点工艺参数数据，基于所述焊点工艺参数数据，对不同焊点的工艺参数进行比对，分析每个焊接参数与裂点发生的关系，选择与裂点关联强的参数，生成工艺变更指向参数组合。

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