武汉国科光领半导体科技有限公司史正康获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种隔离电极的互联方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120222138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510359135.5，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权一种隔离电极的互联方法是由史正康;姚广峰设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种隔离电极的互联方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种隔离电极的互联方法，包括：利用苯并环丁烯树脂对存在电隔离结构的芯片的隔离沟进行初步填充；在芯片的晶圆表面和初步填充后的隔离沟内进行金属剥离胶和光刻胶的第一次涂覆；将芯片表面待加厚的电极窗口打开，通过第一次薄金溅射在整个晶圆的表面覆盖第一金属层；进行金属剥离胶和光刻胶的第二次涂覆；通过光刻技术将芯片表面待加厚的电极窗口打开，通过第二次薄金溅射在晶圆表面覆盖第二金属层；对整体覆盖有第二金属层的晶圆进行电镀；将电镀后的芯片放置于有机溶剂中进行金层剥离，去除其他功能区在溅射和电镀后形成的金属层。本发明解决了电镀工艺无法跨越电隔离结构的技术难题，能够有效保证电极连接的可靠性和导电性。
本发明授权一种隔离电极的互联方法在权利要求书中公布了：1.一种隔离电极的互联方法，其特征在于，包括： 对存在电隔离结构的芯片进行沉积处理，在芯片表面形成电极，利用苯并环丁烯树脂对芯片中的隔离沟进行初步填充； 在芯片的晶圆表面和初步填充后的隔离沟内进行金属剥离胶和光刻胶的第一次涂覆，使涂覆后的胶面处于同一水平面； 通过光刻技术将芯片表面待加厚的电极窗口打开，通过第一次薄金溅射在整个晶圆的表面覆盖第一金属层； 在第一金属层上进行金属剥离胶和光刻胶的第二次涂覆，涂覆胶体的边缘与隔离沟边缘的距离大于第一次涂覆时的距离； 通过光刻技术将芯片表面待加厚的电极窗口打开，通过第二次薄金溅射在晶圆表面覆盖第二金属层； 对整体覆盖有第二金属层的晶圆进行电镀，使芯片金属层在开窗区域加厚，确保电极的接触性能； 将电镀后的芯片放置于有机溶剂中进行金属层剥离，以保留电极的金属层加厚区域，并去除其他功能区在溅射和电镀后形成的金属层。
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