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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111900B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510268109.1，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件及其制备方法是由周弘;马君逸;张进成;郝跃设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件及其制备方法，所述器件包括金刚石衬底上氧化镓外延片，其上方一端设有离子注入区，离子注入区上方制备有阴极电极，金刚石衬底上氧化镓外延片上方另一端制备有阳极电极，离子注入区降低阴极电极与金刚石衬底上氧化镓外延片的欧姆接触电阻，阳极电极与金刚石衬底上氧化镓外延片形成肖特基接触；制备方法：对金刚石衬底上氧化镓外延片进行预处理；离子注入；制备阴极电极和阳极电极；自对准阳极刻蚀和原位退火，最终形成金刚石上氧化镓自对准阳极二极管；本发明简化了器件制备工艺步骤的同时，提高了器件的击穿电压。

本发明授权一种金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件，其特征在于，包括金刚石衬底上配置的氧化镓外延片1，所述氧化镓外延片1的上方一端设置有离子注入区2，离子注入区2的上方制备有阴极电极3，氧化镓外延片1的上方另一端制备有阳极电极4，离子注入区2降低阴极电极3与氧化镓外延片1的欧姆接触电阻，阳极电极4与氧化镓外延片1形成肖特基接触； 所述金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件的制备方法，包括以下步骤： 步骤1，对沉积在金刚石衬底上的氧化镓外延片1进行预处理： 选取表面平整光滑的沉积在金刚石衬底上的氧化镓外延片1，并依次使用丙酮、异丙醇超声清洗，使用食人鱼溶液浸泡氧化镓外延片1，然后吹干，得到预处理后的氧化镓外延片1； 步骤2，离子注入： 在步骤1预处理后的氧化镓外延片1光刻定义离子注入区域，采用硅离子注入形成施主型掺杂，完成硅离子注入后，退火处理，得到离子注入区2； 步骤3，制备阴极电极3： 利用光刻定义阴极区域，阴极区域位于步骤2硅离子注入后形成的离子注入区2上方，采用电子束蒸发完成阴极欧姆接触的金属沉积，沉积阴极金属，阴极金属沉积后，使用丙酮或NMP水浴加热，然后依次在丙酮、异丙醇中超声清洗，完成阴极金属剥离，剥离后，退火处理，形成阴极金属区； 步骤4，制备阳极电极4： 在步骤3沉积阴极金属后的氧化镓外延片1上光刻定义阳极区域，采用电子束蒸发完成阳极肖特基接触的金属沉积，沉积阳极金属，制作方形阳极或圆形阳极，使用丙酮或NMP水浴加热，然后依次在丙酮、异丙醇中超声清洗，完成阳极金属剥离，形成阳极金属区； 步骤5，自对准阳极刻蚀和原位退火： 利用步骤4形成的阳极金属区作为掩膜，采用干法刻蚀技术进行自对准阳极刻蚀，使用三氯化硼或氯气作为工作气体，氩气或氧气作为载气，在5～20mTorr的压强下进行刻蚀，完成原位退火，得到金刚石上氧化镓自对准阳极二极管。

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