珠海越芯半导体有限公司陈先明获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海越芯半导体有限公司申请的专利框架基板的制作方法及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510289338.1，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权框架基板的制作方法及其封装方法是由陈先明;徐小伟;黄本霞设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本框架基板的制作方法及其封装方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种框架基板的制作方法及其封装方法。所述制作方法包括a提供承载板；b形成贯穿的层间过孔；c在两侧表面形成第一金属层，在层间过孔的孔壁形成第二金属层，其中第一和第二金属层电性导通；d在层间过孔中填充树脂材料；e在第一金属层上形成第三金属层，部分蚀刻形成在层间过孔上下表面上的金属导通层；f施加第一感光膜层，通过曝光形成暴露金属导通层的开口；g在开口中形成金属导通柱；h去除第一感光膜层，压合电介质材料形成第一介质层，其中第一介质层的厚度大于金属导通柱的高度；i在承载板上形成贯通的口框。这样的方法有助于实现大尺寸器件或多颗器件集成模组嵌埋封装。
本发明授权框架基板的制作方法及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种框架基板的制作方法，其特征在于，包括： a提供一承载板； b形成贯穿所述承载板的层间过孔； c在所述承载板的上下表面形成第一金属层，并且在所述层间过孔的孔壁形成第二金属层，其中所述第一金属层与所述第二金属层电性导通，所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度； d在所述层间过孔中填充树脂材料； e在所述第一金属层上形成第三金属层，部分蚀刻所述第一金属层和所述第三金属层形成在所述层间过孔上下表面上的金属导通层，其中两侧的所述金属导通层通过所述第二金属层彼此电性导通； f在所述承载板上下表面形成第一感光膜层，通过曝光形成暴露所述金属导通层的开口； g在所述开口中形成金属导通柱； h去除所述第一感光膜层，在所述承载板上压合电介质材料形成第一介质层，其中所述第一介质层的厚度大于所述金属导通柱的高度； i通过机械方式在所述承载板上形成贯通所述基板的口框，得到所述框架基板。
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