青岛澳柯玛云联信息技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311533439.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的制造方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制造方法，在形成至少覆盖在中压区和低压区的中压栅氧化层之后且在形成用于限定所述中压区上需保留的中压栅氧化层的图案化掩膜层时，不仅打开低压区中压栅氧化层上的掩膜层，还打开高压区的高压栅氧化层的鸟嘴区上的掩膜层，由此在利用湿法刻蚀工艺减薄或去除低压区上的中压栅氧化层的同时，一并对高压区的高压栅氧化层的鸟嘴区进行减薄或去除，由此，可以避免增加额外的光罩成本和工艺成本，改善因该鸟嘴区的厚度过后而导致后续向源极区中注入的源漏离子受阻挡的问题，拉近后续在源极区上的金属硅化物和接触插塞到沟道的横向距离，降低源极区的电阻，提高器件性能。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，在所述衬底中形成若干浅沟槽隔离结构，以限定出高压区、中压区和低压区； 掩蔽所述中压区和所述低压区且暴露出所述高压区的衬底表面，并采用第一热氧化工艺形成所述高压区上的高压栅氧化层，所述高压栅氧化层具有鸟嘴区； 至少暴露出所述低压区和所述中压区的衬底表面，并形成中压栅氧化层，所述中压栅氧化层至少覆盖在所述中压区和所述低压区的衬底表面上； 形成图案化掩膜层，所述图案化掩膜层掩蔽所述中压区上需保留的中压栅氧化层，并暴露出所述低压区上的中压栅氧化层和所述高压栅氧化层的鸟嘴区； 以所述图案化掩膜层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺一道减薄或去除所述低压区上的中压栅氧化层和所述高压栅氧化层的鸟嘴区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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