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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利耗尽型晶体管的制备方法及耗尽型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510205991.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权耗尽型晶体管的制备方法及耗尽型晶体管是由梁凤龙;王金旭;张蔷;仇峰设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本耗尽型晶体管的制备方法及耗尽型晶体管在说明书摘要公布了：本公开涉及一种耗尽型晶体管的制备方法及耗尽型晶体管，方法包括：提供第一离子类型的衬底；于第一离子类型的衬底的一侧形成第二离子类型的漂移区；于第一离子类型的衬底顶部形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；于第二离子类型的漂移区上形成场氧层；利用自对准工艺，于第一离子类型的衬底上形成栅氧层，于栅氧层上形成多晶硅层，并于第一离子类型的衬底内形成第一离子类型的阱区；于第一离子类型的衬底内形成第二离子类型的轻掺杂区；于多晶硅层的两侧形成多晶硅栅侧墙；于第一离子类型的阱区内形成第一离子类型的源极，于第二离子类型的漂移区内形成第二离子类型的漏极。至少能够减少额外光罩的使用，减少光刻板的层数，降低晶体管生产成本。

本发明授权耗尽型晶体管的制备方法及耗尽型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种耗尽型晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供第一离子类型的衬底； 于所述第一离子类型的衬底的一侧形成第二离子类型的漂移区； 于所述第一离子类型的衬底顶部形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽靠近所述第一离子类型的衬底的一侧，所述第三沟槽靠近所述第一离子类型的衬底的另一侧，所述第二沟槽位于所述第三沟槽和第二离子类型的漂移区之间，所述第一沟槽至少部分位于所述第二离子类型的漂移区内； 于所述第二离子类型的漂移区上形成场氧层，所述场氧层的顶面高于所述第一离子类型的衬底的顶面，所述场氧层的底面高于所述第二离子类型的漂移区的底面； 利用自对准工艺，于所述第一离子类型的衬底上形成栅氧层，于所述栅氧层上形成多晶硅层，并于所述第一离子类型的衬底内形成第一离子类型的阱区，所述栅氧层与第二离子类型的漂移区、场氧层和第一离子类型的衬底形成接触，所述多晶硅层与场氧层形成接触，所述第一离子类型的阱区横向跨越了第二沟槽，并与第三沟槽接触； 于所述第一离子类型的衬底内形成第二离子类型的轻掺杂区，所述第二离子类型的轻掺杂区位于所述第二离子类型的漂移区与所述第一离子类型的阱区之间，所述第二离子类型的轻掺杂区的顶面与栅氧层的底面接触，所述第二离子类型的轻掺杂区的一侧与第一离子类型的阱区形成接触； 于所述多晶硅层的两侧形成多晶硅栅侧墙； 于所述第一离子类型的阱区内形成第一离子类型的源极，于所述第二离子类型的漂移区内形成第二离子类型的漏极。

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