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龙图腾网获悉湖南融创微电子股份有限公司申请的专利低功耗小面积高PSR的全MOS电压基准电路及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120029402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510154546.0，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权低功耗小面积高PSR的全MOS电压基准电路及设备是由康慧;林少波;傅祎晖设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本低功耗小面积高PSR的全MOS电压基准电路及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及低功耗小面积高PSR的全MOS电压基准电路及设备，通过在电路工艺上采用耗尽型MOS晶体管和增强型晶体管设计基准电流产生电路和核心基准电路，使其能够在较小的电路面积下产生微小的基准电流，而在核心电路结构上采用了全MOS晶体管的结构设计，大幅节省了电路的面积开销，并且设计了电源电压预处理电路来提供电源电压预处理，以有效提高全MOS电压基准电路的PSR，使其具备低功耗、面积小且高PSR的特点，最终实现低功耗小面积高PSR的电压基准电路设计的目的。

本发明授权低功耗小面积高PSR的全MOS电压基准电路及设备在权利要求书中公布了：1.一种低功耗小面积高PSR的全MOS电压基准电路，其特征在于，包括反相器、基准电流产生电路、电流偏置电路、电源电压预处理电路、核心基准电路、电源开关电路和滤波电路； 所述基准电流产生电路、所述电源开关电路、所述电源电压预处理电路和所述核心基准电路的使能控制端均用于接入使能信号，所述反相器的输入端用于接入所述使能信号，所述反相器的输出端分别连接所述基准电流产生电路和所述电源开关电路的副使能控制端，所述基准电流产生电路连接所述电流偏置电路，所述电流偏置电路分别连接所述核心基准电路和所述电源电压预处理电路，所述电源电压预处理电路分别连接所述电源开关电路和所述核心基准电路，所述核心基准电路连接所述滤波电路； 所述基准电流产生电路和所述核心基准电路均为耗尽型晶体管和增强型晶体管构成的电路，所述电流偏置电路、所述电源电压预处理电路和电源开关电路均为增强型晶体管构成的电路，所述基准电流产生电路用于产生基准电流，所述电流偏置电路用于将所述基准电流分别复制到所述核心基准电路和所述电源电压预处理电路，所述电源电压预处理电路用于进行电源电压预处理以拉高所述全MOS电压基准电路的PSR，所述电源开关电路用于将预处理后的电源电压传入所述核心基准电路，所述核心基准电路用于产生基准电压，所述滤波电路用于对所述基准电压滤波后输出。

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