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龙图腾网获悉江苏芯长征微电子集团股份有限公司;芯长征微电子制造(山东)有限公司申请的专利一种具有电压变化率高可控性的功率器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018530B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510083315.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种具有电压变化率高可控性的功率器件及制备方法是由司宝阳;吴凯;刘辉设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有电压变化率高可控性的功率器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有电压变化率高可控性的功率器件及制备方法，涉及半导体器件技术领域，该功率器件包括具有第一导电类型的衬底以及设置于衬底有源区的若干并列分布的沟槽型元胞，任一沟槽型元胞包括有源栅单元、第一副栅单元组、第二副栅单元组、第一假栅单元组以及第二假栅单元组；所述有源栅单元位于第一副栅单元组与第二副栅单元组之间，所述第一假栅单元组与第二假栅单元组均至少包括一个假栅单元；所述假栅单元包括假栅沟槽，所述假栅沟槽下方设置有第二导电类型浮空区，所述第二导电类型浮空区至少与假栅沟槽槽底接触。该功率器件能够使栅极电阻Rg对于集电极‑发射极电压变化率具有更好的控制能力。

本发明授权一种具有电压变化率高可控性的功率器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有电压变化率高可控性的功率器件，其特征在于，包括具有第一导电类型的衬底以及制备于衬底中心区的有源区，所述有源区内设置有若干并列分布的沟槽型元胞，其中，对于任一沟槽型元胞，包括有源栅单元、第一副栅单元组、第二副栅单元组、第一假栅单元组以及第二假栅单元组； 所述有源栅单元位于第一副栅单元组与第二副栅单元组之间，所述第一假栅单元组位于第一副栅单元组远离有源栅单元的一侧，所述第二假栅单元组位于第二副栅单元组远离有源栅单元的一侧； 所述第一副栅单元组与第二副栅单元组均至少包括一个副栅单元，所述第一假栅单元组与第二假栅单元组均至少包括一个假栅单元； 所述副栅单元与所述衬底上方用于形成第一电极的第一电极金属电连接，所述假栅单元以及有源栅单元均与衬底上方用于形成第二电极的第二电极金属电连接； 所述假栅单元包括假栅沟槽，所述假栅沟槽下方设置有第二导电类型浮空区，所述第二导电类型浮空区至少与假栅沟槽槽底接触，所述第二导电类型浮空区包覆所述假栅沟槽的槽底并向假栅沟槽的外侧壁延伸； 所述有源栅单元包括有源栅沟槽、有源栅氧化层以及有源栅多晶硅，所述有源栅多晶硅填充于有源栅沟槽内，且通过有源栅氧化层与有源栅沟槽内壁绝缘隔离，所述有源栅多晶硅与第二电极金属欧姆接触； 所述副栅单元包括副栅沟槽、副栅氧化层以及副栅多晶硅，所述副栅多晶硅填充于副栅沟槽内，且通过副栅氧化层与副栅沟槽内壁绝缘隔离，所述副栅多晶硅与第一电极金属欧姆接触； 所述假栅单元还包括假栅氧化层以及假栅多晶硅，所述假栅多晶硅填充于假栅沟槽内，且通过假栅氧化层与假栅沟槽内壁绝缘隔离，所述假栅多晶硅与第二电极金属欧姆接触； 所有副栅沟槽的槽深相同，所有假栅沟槽的槽深也相同； 所述假栅沟槽、有源栅沟槽及副栅沟槽的槽深比例为1.1:1:0.9。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏芯长征微电子集团股份有限公司;芯长征微电子制造(山东)有限公司，其通讯地址为：210000 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室(江宁开发区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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